MOSFET中的雪崩是什么?(雪崩能力)

如果将超过绝对最大额定漏源电压VDSS的电压施加到MOSFET,它将进入击穿区并被损坏。然而,某些产品允许在数据表中描述的规定条件下超过VDSS。这种允许的能量称为雪崩能力。

图2MOSFET雪崩等效电路。 图1雪崩测量电路 。图3雪崩击穿电流和电压 。

由于电路的杂散电感,MOSFET关断时的浪涌电压会叠加在漏源电压上,如果漏源电压超过器件的最大额定值,则可能会将其击穿。
而当能量和漏极电流在一定极限内,且温度低于额定结温Tch时,即使电压超过VDSS(额定电压),MOSFET也不会击穿损坏。这就是所谓的雪崩能力。允许的能量称为雪崩能量(EAS),电流称为雪崩电流(IAR)。
图1显示MOSFET雪崩测量电路,图2显示MOSFET雪崩等效电路。图2变薄的区域是部分寄生元件。图3显示该测量电路的电压和电流波形。图1中,为了测量在电路中插图电感L代替杂散电感。
电压VDD由外部施加,MOSFET由栅极电压VGS控制。当t0处栅极电压下降,MOSFET关断时,导通电流ID不会立即变为零,而是受电感的影响会继续流动。因此,MOSFET的漏极电压VDS上升,甚至超过最大额定漏源电压VDSS,如图3所示。最终,图2中寄生二极管D1雪崩击穿,漏源电压VDS变为BVDS。如果此时IAS电流大,寄生NPN晶体管TR1 将导通,流过的大电流可能损坏MOSFET。一些MOSFET允许漏源电压VDS 在可接受的极限内瞬时超过VDSS

雪崩能力是否适用以及应用范围因每种器件而异。如需了解详情,请联系我们的销售代表或使用我们网站的查询表。

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