MOSFET中的雪崩是什么?（雪崩能力）

由于电路的杂散电感，MOSFET关断时的浪涌电压会叠加在漏源电压上，如果漏源电压超过器件的最大额定值，则可能会将其击穿。
而当能量和漏极电流在一定极限内，且温度低于额定结温T_ch时，即使电压超过V_DSS（额定电压），MOSFET也不会击穿损坏。这就是所谓的雪崩能力。允许的能量称为雪崩能量（E_AS），电流称为雪崩电流（I_AR）。
图1显示MOSFET雪崩测量电路，图2显示MOSFET雪崩等效电路。图2变薄的区域是部分寄生元件。图3显示该测量电路的电压和电流波形。图1中，为了测量在电路中插图电感L代替杂散电感。
电压V_DD由外部施加，MOSFET由栅极电压V_GS控制。当t₀处栅极电压下降，MOSFET关断时，导通电流I_D不会立即变为零，而是受电感的影响会继续流动。因此，MOSFET的漏极电压V_DS上升，甚至超过最大额定漏源电压V_DSS，如图3所示。最终，图2中寄生二极管D₁雪崩击穿，漏源电压V_DS变为BV_DS。如果此时I_AS电流大，寄生NPN晶体管TR₁ 将导通，流过的大电流可能损坏MOSFET。一些MOSFET允许漏源电压V_DS 在可接受的极限内瞬时超过V_DSS。