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射频SPDT开关（在小型封装中实现高功率输入的单刀双掷开关）
东芝电子元件及存储装置株式会社最近新近推出了采用紧凑型封装的射频SPDT开关TCWA1225G。TCWA1225G采用东芝原创的CMOS工艺，用于通信基站和无线电通信设备中使用的射频传输路径开关电路。该产品现已上市
近年来，通信基站引入了大规模密集型MIMO[注1]等技术，使用多个发射和接收天线，实现超高速和超大容量的无线电通信服务。5G就是一个代表性实例。单个天线也越来越多地由超多元件天线和复杂的信号传输路径组成。在这种复杂的传输路径之间执行开关操作时，通常使用射频开关。但是，这种射频必须具有低插入损耗、高输入功率等特点，还必须足够小，以保证射频开关数量以及天线和器件尺寸都不会增加。
新款TCWA1225G在1.9 mm×1.9 mm（典型值）小型封装中实现了高达46 dBm[注2]的输入峰值功率，有助于设备小型化。此外，由于插入损耗为0.6 dB[注3]，功耗电流低至50 μA[注4]，因此有助于降低设备损耗和功耗。
可通过内置GPIO控制接口轻松控制开关操作。
[注1]多输入多输出
[注2]8 dB PAR（峰值与平均值之比）
[注3]5 GHz，典型值
[注4]VDD＝3.6 V，典型值
新产品的主要特性
- 小型封装
- 高功率输入
- 低插入损耗
特性说明
1.小型封装
2.0 mm×2.0 mm（典型值）是性能相当的高功率输入射频SPDT开关竞争产品中的最小尺寸，而采用1.9 mm×1.9 mm（典型值）小型WCSP[注5]封装的TCWA1225G，贴装面积进一步减小了约10%。高度通用的0.5 mm尺寸还消除了对复杂贴片技术的需求，并降低了电路板贴装期间端子间短路的概率。此外，射频端子、电源和控制端子布置在封装外围，以防止电路板线路图案设计过于复杂。
[注5]晶圆片级芯片规模封装
2.高功率输入
为同时实现小型化和高功率输入，我们采用了东芝原创的CMOS工艺，并进一步优化了开关电路。因此与性能相当的竞争产品在2.0 mm×2.0 mm（典型值）封装中实现42 dBm峰值输入功率相比，我们仅在1.9 mm×1.9 mm（典型值）[注6]的小尺寸中就实现了46 dBm高功率输入。
3.低插入损耗
在射频信号的传输路径开关电路中，必须确保射频信号非常小，以防止发射功率下降和接收器灵敏度降低。通过使用东芝原创的CMOS工艺，TCWA1225G可在5 GHz时实现0.6 dB（典型值），插入损耗比性能相当的竞争产品减少了大约0.05 dB[注6]。
[注6]与类似产品的比较。截至2024年6月的东芝调研。
应用设备
- 通信基站
- 无线通信设备
- 其他通信设备
产品的主要规格
（Ta＝25 °C）
产品型号 |
||
|---|---|---|
数据表 |
||
绝对最大额定值 |
供电电压范围VDD（V） |
-0.3至3.9 |
逻辑输入（LS，CTRL Pad） Vl（V） |
-0.3至3.9 |
|
峰值功率容量 （8dB PAR） Ppk（dBm） |
46 |
|
| 工作电压范围 | 供电电压VDD（V） |
3.0至3.6 |
| 工作温度Topr（°C） |
-40至95 |
|
电气特性 （典型值）
|
插入损耗IL（dB）@5 GHz |
0.6 |
隔离ISO（dB）@5 GHz |
46 |
|
VSWR （-） |
1.2 |
|
输入1 dB压缩IP1 dB（dBm）@2.6 GHz |
47 |
|
输入IP3 IIP3（dBm）@2.6 GHz |
74 |
|
输入IP2 IIP2（dBm）@2.6 GHz |
128 |
|
功耗电流IDC（μA）@VDD＝3.6 V |
50 |
|
封装 |
东芝名称 |
|
典型尺寸（mm） |
1.9 × 1.9 |
|
库存查询与购买 |
|
|
相关信息
产品详情
封装
*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。