东芝扩展3300V SiC MOSFET模块的产品线，有助于提高工业设备的效率和小型化
产品新闻2023年12月
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）面向工业应用推出集成斩波碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300 V和800 A特征）的模块——“MG800FXF1ZMS3[1]”和“MG800FZF1JMS3[2]”，这些模块采用第三代SiC MOSFET和SBD芯片。
新产品MG800FXF1ZMS3和MG800FXF1JMS3采用具有银烧结内部键合技术和高安装兼容性的iXPLV[3]封装。这些产品的导通损耗低， 1.3 V（典型值）[4]的低漏源导通电压（传感值），并且还具有230 mJ（典型值）[5]的低开通损耗。有助于减少设备的功率损耗和减小冷却设备的尺寸。
东芝的iXPLV封装MOSFET模块产品线有三款产品，其中包括现有产品MG800FXF2YMS3（3300 V / 800 A / 双SiC MOSFET模块）。为用户提供了丰富的产品选择。其可以用于2电平逆变器、buck／boost转换器和3电平逆变器。
未来，东芝将继续努力满足市场对工业设备高效率和小型化的需求。
注：
[1]高边：SiC MOSFET，低边：SiC SBD
[2]高边：SiC SBD，低边：SiC MOSFET
[3]iXPLV：智能柔性封装低电压
[4]测试条件：ID＝800 A, VGS＝+20 V，Tch＝25 °C
[5]测试条件：VDD＝1800 V，ID＝800 A，Tch＝175 °C
应用
工业设备
- 用于轨道车辆的逆变器和转换器
- 可再生能源发电系统
- 工业电机控制设备
特性
- 低漏源导通电压（传感值）：
VDS(on)sense＝1.3 V（典型值）（ID＝800 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C） - 低导通损耗：
Eon＝230 mJ（典型值）（VDD＝1800 V，ID＝800 A，Tch＝175 °C） - 低关断损耗：
Eoff＝230 mJ（典型值）（VDD＝1800 V，ID＝800 A，Tch＝175 °C）
主要规格
（除非另有说明，@Tc＝25℃）
| 器件型号 | ||||
|---|---|---|---|---|
| 东芝封装名称 | iXPLV | |||
| 绝对最大额定值 | 漏极-源极电压VDSS（V） | 3300 | ||
| 栅极-源极电压VGSS（V） | +25 / -10 | |||
| 漏极电流（DC）ID（A） | 800 | |||
| 漏极电流（脉冲） IDP（A） | 1600 | |||
| 结温Tch（°C） | 175 | |||
| 隔离电压Visol（Vrms） | 6000 | |||
| 电气特性 |
漏极-源极导通电压（传感值） VDS(on)sense （V） |
ID＝800 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C | 典型值 | 1.3 |
源极-漏极导通电压（传感值） VSD(on)sense（V） |
IS＝800 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C | 典型值 | 1.3 | |
源极-漏极关断电压（传感值） VSD(off)sense（V） |
IS＝800 A，VGS＝-6 V，Tch＝25 °C | 典型值 | 2.1 | |
| 开通损耗 Eon（mJ） |
VDD＝1800 V，ID＝800 A，Tch＝175 °C | 典型值 | 230 | |
关断损耗 Eoff（mJ） |
典型值 | 230 | ||
内部电路
应用电路示例
注：本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
东芝电子元件及存储装置株式会社提供这些应用电路示例并不表示提供了任何的工业产权许可。
*本文提及的公司名称，产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
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