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About information presented in this cross reference
The information presented in this cross reference is based on TOSHIBA's selection criteria and should be treated as a suggestion only. Please carefully review the latest versions of all relevant information on the TOSHIBA products, including without limitation data sheets and validate all operating parameters of the TOSHIBA products to ensure that the suggested TOSHIBA products are truly compatible with your design and application.
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MOSFET／结FET
JEITA注册项目系列（例：2SK****／2SJ****）
小信号MOSFET（SSM）系列（例：SSM3K102TU）
①小信号MOSFET
②引脚数
③极性和内部配置
K：N沟道，单型
J：P沟道，单型
N：N沟道，双型
P：P沟道，双型
L：N沟道和P沟道（双型）
E：N沟道和P沟道（预先接线作为负载开关）
H：N沟道和SBD
G：P沟道和SBD
Q：PNP和P沟道
④产品的序列号
⑤封装
| 3引脚 | F：S-Mini FU：USM FS：SSM FV：VESM T：TSM TU：UFM CT：CST3 CTB：CST3B R：SOT-23F |
|---|---|
| 4引脚 | CT：CST4 |
| 5引脚 | F：SMV FU：USV FE：ESV TU：UFV |
| 6引脚 | FU：US6 FE：ES6 TU：UF6 CTD：CST6D NU：UDFN6／UDFN6B |
传统的多引脚系列（例：TPC8067-H）
①封装
TPC6：VS-6系列
TPCF8：VS-8系列
TPCP8：PS-8系列
TPCC8：TSON Advance系列
TPC8：SOP-8系列
TPCA8：SOP Advance系列
②极性／配置
0：N沟道，单型
1：P沟道，单型
2：N沟道，双型
3：P沟道，双型
4：N沟道和P沟道，双型
A：N沟道和SBD
B：P沟道和SBD
J：P沟道和NPN
③产品的序列号
④附加信息
-H：高速型
无：低导通电阻类型
新的多引脚系列（例：TPH4R606NH）
①封装
TP6：VS-6系列
TPF：VS-8系列
TPP：PS-8系列
TPN：TSON Advance系列
TPW：DSOP Advance系列
TP8：SOP-8系列
TPH：SOP Advance系列
②最大导通电阻
（在最大驱动条件下）
R46＝0.46mΩ
4R6＝4.6mΩ
100＝10×100＝10mΩ
101＝10×101＝100mΩ
③极性/配置
0：单型N沟道
1：单型P沟道
2：双型N沟道
3：双型P沟道
4：双型N沟道＋P沟道
A：双型N沟道MOS＋SBD
B：双型P沟道MOS＋SBD
④漏极-源极电压（VDSS）
2：15至24V
3：25至34V
4：35至44V
5：45至54V
6：55至64V
7：65至74V
8：75至84V
A：95至124V
B：125至149V
C：150至179V
D：180至199V
E：200至249V
F：250至299V
⑤系列
G：U-MOSVII
M：U-MOSVI
N：U-MOSVIII
P：U-MOSIX
⑥附加信息
1至5：产品的序列号
A：VGS＝10V（驱动）
B：VGS＝6V（驱动）
C：VGS＝4.5V（驱动）
D：VGS＝2.5V（驱动）
E：VGS＝2.0V（驱动）
F：VGS＝1.8V（驱动）
H：低rg，VGS＝10V（驱动）
M：低rg，VGS＝6V（驱动）
L：低rg，VGS＝4.5V（驱动）
Q：Tch（最大值）＝保证达到175°C+ZD
R：Tch（最大值）＝保证达到150°C＋ZD
S：Tch（最大值）＝保证达到175°C
T：Tch（最大值）＝保证达到150°C
3引脚系列（例：TK40S10K3Z）
①
TK：N沟道
TJ：P沟道
②漏极电流（ID）
③封装
A：TO-220SIS
C：I2PAK
E：TO-220
F：TO-220SM（W）
G：D2PAK
J：TO-3P（N）
L：TO-3P（L）
M：TO-3P（N）IS
N：TO-247
P：DPAK／新PW-Mold
Q：IPAK／新PW Mold2
S：DPAK＋
V：DFN8×8
Z：TO-247 4L（4引脚）
④漏极-源极电压（VDSS）：
显示值×10倍＝VDSS
06：VDSS＝60V
10：VDSS＝100V
⑤系列
A：π-MOSIV
C：π-MOSVI
D：π-MOSVII
E：π-MOSVIII
J：U-MOSIII
K：U-MOSIV
M：U-MOSVI
N：U-MOSVIII
U：DTMOSII
V：DTMOSIII
W：DTMOSIV
X：DTMOSIV-H
⑥附加信息（1）
1：低电容类型
3：低导通电阻类型
5：快速主体二极管类型
⑦附加信息（2）
H：VGS＝10V（驱动）
M：VGS＝6V（驱动）
L：VGS＝4.5V（驱动）
Z：栅极和源极之间有保护齐纳二极管
新的3引脚系列（例：TKR74F04PB）
①
TK：N沟道
TJ：P沟道
②
最大值，导通电阻
VDSS＝400V或低于产品
（在最大驱动条件下）
R74＝0.74mΩ
8R2＝8.2mΩ
100＝10×100＝10mΩ
101＝10×101＝100mΩ
最大值，导通电阻
VDSS＝400V或高于产品
（在最大驱动条件下）
047＝0.047Ω
410＝0.41Ω
4K7＝4.7Ω
③封装
A：TO-220SIS
C：I2PAK
E：TO-220
F：TO-220SM（W）
G：D2PAK
J：TO-3P（N）
L：TO-3P（L）
M：TO-3P（N）IS
N：TO-247
P：DPAK／新PW-Mold
Q：IPAK／新PW Mold2
R：D2PAK+
S：DPAK+
V：DFN8x8
Z：TO-247 4L（4引脚）
④漏极-源极电压（VDSS）：
显示值×10倍＝VDSS
04：VDSS=40 V
10：VDSS=100 V
⑤ 系列
G：U-MOSVII
M：U-MOSVI
N：U-MOSVIII
P：U-MOSIX
Y：DTMOSⅤ
⑥ 附加信息
A: VGS＝10V（驱动）
B: VGS＝6V（驱动）
C: VGS＝4.5V（驱动）
H：低rg，VGS＝10V（驱动）
M：低rg，VGS＝6V（驱动）
L：低rg，VGS＝4.5V（驱动）
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