MOSFET／结FET
JEITA注册项目系列（例：2SK****／2SJ****）
小信号MOSFET（SSM）系列（例：SSM3K102TU）
①小信号MOSFET
②引脚数
③极性和内部配置
K：N沟道，单型
J：P沟道，单型
N：N沟道，双型
P：P沟道，双型
L：N沟道和P沟道（双型）
E：N沟道和P沟道（预先接线作为负载开关）
H：N沟道和SBD
G：P沟道和SBD
Q：PNP和P沟道
④产品的序列号
⑤封装
| 3引脚 | F：S-Mini FU：USM FS：SSM FV：VESM T：TSM TU：UFM CT：CST3 CTB：CST3B R：SOT-23F |
|---|---|
| 4引脚 | CT：CST4 |
| 5引脚 | F：SMV FU：USV FE：ESV TU：UFV |
| 6引脚 | FU：US6 FE：ES6 TU：UF6 CTD：CST6D NU：UDFN6／UDFN6B |
传统的多引脚系列（例：TPC8067-H）
①封装
TPC6：VS-6系列
TPCF8：VS-8系列
TPCP8：PS-8系列
TPCC8：TSON Advance系列
TPC8：SOP-8系列
TPCA8：SOP Advance系列
②极性／配置
0：N沟道，单型
1：P沟道，单型
2：N沟道，双型
3：P沟道，双型
4：N沟道和P沟道，双型
A：N沟道和SBD
B：P沟道和SBD
J：P沟道和NPN
③产品的序列号
④附加信息
-H：高速型
无：低导通电阻类型
新的多引脚系列（例：TPH4R606NH）
①封装
TP6：VS-6系列
TPF：VS-8系列
TPP：PS-8系列
TPN：TSON Advance系列
TPW：DSOP Advance系列
TP8：SOP-8系列
TPH：SOP Advance系列
②最大导通电阻
（在最大驱动条件下）
R46＝0.46mΩ
4R6＝4.6mΩ
100＝10×100＝10mΩ
101＝10×101＝100mΩ
③极性/配置
0：单型N沟道
1：单型P沟道
2：双型N沟道
3：双型P沟道
4：双型N沟道＋P沟道
A：双型N沟道MOS＋SBD
B：双型P沟道MOS＋SBD
④漏极-源极电压（VDSS）
2：15至24V
3：25至34V
4：35至44V
5：45至54V
6：55至64V
7：65至74V
8：75至84V
A：95至124V
B：125至149V
C：150至179V
D：180至199V
E：200至249V
F：250至299V
⑤系列
G：U-MOSVII
M：U-MOSVI
N：U-MOSVIII
P：U-MOSIX
⑥附加信息
1至5：产品的序列号
A：VGS＝10V（驱动）
B：VGS＝6V（驱动）
C：VGS＝4.5V（驱动）
D：VGS＝2.5V（驱动）
E：VGS＝2.0V（驱动）
F：VGS＝1.8V（驱动）
H：低rg，VGS＝10V（驱动）
M：低rg，VGS＝6V（驱动）
L：低rg，VGS＝4.5V（驱动）
Q：Tch（最大值）＝保证达到175°C+ZD
R：Tch（最大值）＝保证达到150°C＋ZD
S：Tch（最大值）＝保证达到175°C
T：Tch（最大值）＝保证达到150°C
3引脚系列（例：TK40S10K3Z）
①
TK：N沟道
TJ：P沟道
②漏极电流（ID）
③封装
A：TO-220SIS
C：I2PAK
E：TO-220
F：TO-220SM（W）
G：D2PAK
J：TO-3P（N）
L：TO-3P（L）
M：TO-3P（N）IS
N：TO-247
P：DPAK／新PW-Mold
Q：IPAK／新PW Mold2
S：DPAK＋
V：DFN8×8
Z：TO-247 4L（4引脚）
④漏极-源极电压（VDSS）：
显示值×10倍＝VDSS
06：VDSS＝60V
10：VDSS＝100V
⑤系列
A：π-MOSIV
C：π-MOSVI
D：π-MOSVII
E：π-MOSVIII
J：U-MOSIII
K：U-MOSIV
M：U-MOSVI
N：U-MOSVIII
U：DTMOSII
V：DTMOSIII
W：DTMOSIV
X：DTMOSIV-H
⑥附加信息（1）
1：低电容类型
3：低导通电阻类型
5：快速主体二极管类型
⑦附加信息（2）
H：VGS＝10V（驱动）
M：VGS＝6V（驱动）
L：VGS＝4.5V（驱动）
Z：栅极和源极之间有保护齐纳二极管
新的3引脚系列（例：TKR74F04PB）
①
TK：N沟道
TJ：P沟道
②
最大值，导通电阻
VDSS＝400V或低于产品
（在最大驱动条件下）
R74＝0.74mΩ
8R2＝8.2mΩ
100＝10×100＝10mΩ
101＝10×101＝100mΩ
最大值，导通电阻
VDSS＝400V或高于产品
（在最大驱动条件下）
047＝0.047Ω
410＝0.41Ω
4K7＝4.7Ω
③封装
A：TO-220SIS
C：I2PAK
E：TO-220
F：TO-220SM（W）
G：D2PAK
J：TO-3P（N）
L：TO-3P（L）
M：TO-3P（N）IS
N：TO-247
P：DPAK／新PW-Mold
Q：IPAK／新PW Mold2
R：D2PAK+
S：DPAK+
V：DFN8x8
Z：TO-247 4L（4引脚）
④漏极-源极电压（VDSS）：
显示值×10倍＝VDSS
04：VDSS=40 V
10：VDSS=100 V
⑤ 系列
G：U-MOSVII
M：U-MOSVI
N：U-MOSVIII
P：U-MOSIX
Y：DTMOSⅤ
⑥ 附加信息
A: VGS＝10V（驱动）
B: VGS＝6V（驱动）
C: VGS＝4.5V（驱动）
H：低rg，VGS＝10V（驱动）
M：低rg，VGS＝6V（驱动）
L：低rg，VGS＝4.5V（驱动）