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About information presented in this cross reference

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MOSFET/结FET

JEITA注册项目系列(例:2SK****/2SJ****)

器件型号的JEITA注册器件型号系列举例
器件型号的JEITA注册器件型号系列举例

小信号MOSFET(SSM)系列(例:SSM3K102TU)

小信号MOSFET(SSM)系列举例
小信号MOSFET(SSM)系列举例

①小信号MOSFET

 

②引脚数

 

③极性和内部配置

K:N沟道,单型
J:P沟道,单型
N:N沟道,双型
P:P沟道,双型
L:N沟道和P沟道(双型)
E:N沟道和P沟道(预先接线作为负载开关)
H:N沟道和SBD
G:P沟道和SBD
Q:PNP和P沟道

 

④产品的序列号

 

⑤封装

3引脚 F:S-Mini
FU:USM
FS:SSM
FV:VESM
T:TSM
TU:UFM
CT:CST3
CTB:CST3B
R:SOT-23F
4引脚 CT:CST4
5引脚 F:SMV
FU:USV
FE:ESV
TU:UFV
6引脚 FU:US6
FE:ES6
TU:UF6
CTD:CST6D
NU:UDFN6/UDFN6B

传统的多引脚系列(例:TPC8067-H)

传统的多引脚系列举例
传统的多引脚系列举例

①封装

TPC6:VS-6系列

TPCF8:VS-8系列

TPCP8:PS-8系列

TPCC8:TSON Advance系列

TPC8:SOP-8系列

TPCA8:SOP Advance系列

 

②极性/配置

0:N沟道,单型

1:P沟道,单型

2:N沟道,双型

3:P沟道,双型

4:N沟道和P沟道,双型

A:N沟道和SBD

B:P沟道和SBD

J:P沟道和NPN

 

③产品的序列号

 

④附加信息

-H:高速型

无:低导通电阻类型

新的多引脚系列(例:TPH4R606NH)

新的多引脚系列举例
新的多引脚系列举例

①封装

TP6:VS-6系列
TPF:VS-8系列
TPP:PS-8系列
TPN:TSON Advance系列
TPW:DSOP Advance系列
TP8:SOP-8系列
TPH:SOP Advance系列

 

②最大导通电阻
(在最大驱动条件下)

R46=0.46mΩ
4R6=4.6mΩ
100=10×100=10mΩ
101=10×101=100mΩ

 

③极性/配置

0:单型N沟道
1:单型P沟道
2:双型N沟道
3:双型P沟道
4:双型N沟道+P沟道
A:双型N沟道MOS+SBD
B:双型P沟道MOS+SBD

 

④漏极-源极电压(VDSS

2:15至24V
3:25至34V
4:35至44V
5:45至54V
6:55至64V
7:65至74V
8:75至84V
A:95至124V
B:125至149V
C:150至179V
D:180至199V
E:200至249V
F:250至299V

⑤系列

G:U-MOSVII
M:U-MOSVI
N:U-MOSVIII
P:U-MOSIX

 

⑥附加信息

1至5:产品的序列号
A:VGS=10V(驱动)
B:VGS=6V(驱动)
C:VGS=4.5V(驱动)
D:VGS=2.5V(驱动)
E:VGS=2.0V(驱动)
F:VGS=1.8V(驱动)
H:低rg,VGS=10V(驱动)
M:低rg,VGS=6V(驱动)
L:低rg,VGS=4.5V(驱动)
Q:Tch(最大值)=保证达到175°C+ZD
R:Tch(最大值)=保证达到150°C+ZD
S:Tch(最大值)=保证达到175°C
T:Tch(最大值)=保证达到150°C

3引脚系列(例:TK40S10K3Z)

3引脚系列举例
3引脚系列举例

TK:N沟道
TJ:P沟道

 

②漏极电流(ID

 

③封装

A:TO-220SIS
C:I2PAK
E:TO-220
F:TO-220SM(W)
G:D2PAK
J:TO-3P(N)
L:TO-3P(L)
M:TO-3P(N)IS
N:TO-247
P:DPAK/新PW-Mold
Q:IPAK/新PW Mold2
S:DPAK+
V:DFN8×8
Z:TO-247 4L(4引脚)

 

④漏极-源极电压(VDSS):

显示值×10倍=VDSS

06:VDSS=60V
10:VDSS=100V

 

⑤系列

A:π-MOSIV
C:π-MOSVI
D:π-MOSVII
E:π-MOSVIII
J:U-MOSIII
K:U-MOSIV
M:U-MOSVI
N:U-MOSVIII
U:DTMOSII
V:DTMOSIII
W:DTMOSIV
X:DTMOSIV-H

 

⑥附加信息(1)

1:低电容类型
3:低导通电阻类型
5:快速主体二极管类型

 

⑦附加信息(2)

H:VGS=10V(驱动)
M:VGS=6V(驱动)
L:VGS=4.5V(驱动)
Z:栅极和源极之间有保护齐纳二极管

新的3引脚系列(例:TKR74F04PB)

新的3引脚系列举例
新的3引脚系列举例

TK:N沟道
TJ:P沟道

 

最大值,导通电阻
VDSS=400V或低于产品
(在最大驱动条件下)

R74=0.74mΩ
8R2=8.2mΩ
100=10×100=10mΩ
101=10×101=100mΩ

 

最大值,导通电阻
VDSS=400V或高于产品
(在最大驱动条件下)

047=0.047Ω
410=0.41Ω
4K7=4.7Ω

 

③封装

A:TO-220SIS
C:I2PAK
E:TO-220
F:TO-220SM(W)
G:D2PAK
J:TO-3P(N)
L:TO-3P(L)
M:TO-3P(N)IS
N:TO-247
P:DPAK/新PW-Mold
Q:IPAK/新PW Mold2
R:D2PAK+
S:DPAK+
V:DFN8x8
Z:TO-247 4L(4引脚)

④漏极-源极电压(VDSS):
显示值×10倍=VDSS

04:VDSS=40 V
10:VDSS=100 V

 

⑤ 系列

G:U-MOSVII
M:U-MOSVI
N:U-MOSVIII
P:U-MOSIX
Y:DTMOSⅤ

 

⑥ 附加信息

A: VGS=10V(驱动)
B: VGS=6V(驱动)
C: VGS=4.5V(驱动)
H:低rg,VGS=10V(驱动)
M:低rg,VGS=6V(驱动)
L:低rg,VGS=4.5V(驱动)

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