MOSFET／结FET

①小信号MOSFET

②引脚数

③极性和内部配置

K：N沟道，单型
J：P沟道，单型
N：N沟道，双型
P：P沟道，双型
L：N沟道和P沟道（双型）
E：N沟道和P沟道（预先接线作为负载开关）
H：N沟道和SBD
G：P沟道和SBD
Q：PNP和P沟道

④产品的序列号

⑤封装

①封装

TPC6：VS-6系列

TPCF8：VS-8系列

TPCP8：PS-8系列

TPCC8：TSON Advance系列

TPC8：SOP-8系列

TPCA8：SOP Advance系列

②极性／配置

0：N沟道，单型

1：P沟道，单型

2：N沟道，双型

3：P沟道，双型

4：N沟道和P沟道，双型

A：N沟道和SBD

B：P沟道和SBD

J：P沟道和NPN

③产品的序列号

④附加信息

-H：高速型

无：低导通电阻类型

1.封装

TPN ：TSON Advance系列
TPW：DSOP Advance 系列
TP8 ：SOP-8系列
TPH ：SOP Advance系列
           SOP Advance(N)系列
TPE：SOP Advance(E)系列

2.最大导通电阻
（在最大驱动条件下）

R46＝0.46mΩ
4R6＝4.6mΩ
100＝10×10⁰＝10mΩ
101＝10×10¹＝100mΩ

3.极性／配置

0 ：单型N沟道
1 ：单型P沟道
2 ：双型N沟道
3 ：双型P沟道
4 ：双型N沟道＋P沟道
A ：双型N沟道MOS＋SBD
B ：双型P沟道MOS＋SBD

4. 漏极－源极电压（V_DSS）

3：25V至34V
4：35V至44V
5：45V至54V
6：55V至64V
7：65V至74V
8：75V至84V
9：85V至94V
A：95V至124V
B：125V至149V
C：150V至179V
D：180V至199V
E：200V至249V
F：250V至299V

5.系列

G：U-MOSVII
M：U-MOSVI
N：U-MOSVIII
P：U-MOSIX
Q：U-MOSX 

6.附加信息

1至4：产品序列号
5： HSD（高速恢复二极管）型
A：V_GS＝10V（驱动）
B：V_GS＝6V（驱动）
C：V_GS＝4.5V（驱动）
D：V_GS＝2.5V（驱动）
E：V_GS＝2.0V（驱动）
F：V_GS＝1.8V（驱动）
G：V_GS＝1.5V（驱动）
H：低r_g，V_GS＝10V（驱动）
J： V_GS = 1.2V（驱动）
M：低r_g，V_GS＝6V（驱动）
L：低-r_g，V_GS＝4.5V（驱动）
Q：T_ch（最大值）＝确保高达175°C＋ZD
R：T_ch（最大值）＝确保高达150°C＋ZD
S：T_ch（最大值）＝确保高达175°C
T：T_ch（最大值）＝确保高达150°C
U：低尖峰

1.封装

XPN：TSON Advance
XP8：SOP-8
XPH：SOP Advance
XPJ：S-TOGL
XPQ：L-TOGL
XPY：TO-Leadless
XPW：DSOP Advance

2.最大导通电阻
（在最大驱动条件下）

R46＝0.46mOhm
4R6＝4.6mOhm
100＝10×10⁰＝10mOhm
101＝10×10¹＝100mOhm

3.极性／配置

0：单型N沟道
1：单型P沟道

4.漏极-源极电压（V_DSS）

4：35V至44V
6：55V至64V
8：75V至84V
A：95V至124V

5.系列

K：U-MOSIV
M：U-MOSVI
N：U-MOSVIII
P：U-MOSIX
Q：U-MOSX 

6.附加信息

1至4：产品序列号
5：HSD（高速恢复二极管）型
A：V_GS＝10V（驱动）
B：V_GS＝6V（驱动）
C：V_GS＝4.5V（驱动）
D：V_GS＝2.5V（驱动）
S：T_ch（最大值）＝确保高达175°C

1.

TK：N沟道
TJ：P沟道

2.漏极电流（I_D）

3.封装

A：TO-220SIS
C：I2PAK
E：TO-220
F：TO-220SM（W）
G：D2PAK
J：TO-3P（N）
L：TO-3P（L）
M：TO-3P（N）IS
N：TO-247
P：DPAK/New PW-Mold
Q：IPAK/ New PW Mold2
S：DPAK+
V：DFN8x8
Z：TO-247-4L (4-pin)

4.漏极-源极电压（ V_DSS）：

显示值×10倍＝V_DSS

06：V_DSS＝60V
10：V_DSS＝100V

5.系列

A：π-MOSIV
C：π-MOSVI
D：π-MOSVII
E：π-MOSVIII
J：U-MOSIII
K：U-MOSIV
M：U-MOSVI
N：U-MOSVIII
U：DTMOSII
V：DTMOSIII
W：DTMOSIV
X：DTMOSIV-H

6.附件信息（1）

1：低电容型
3：低导通电阻型
5：快速体二极管型

7.附件信息（2）

H：V_GS＝10V（驱动）
M：V_GS＝6V （驱动）
L：V_GS＝4.5V（驱动）
Z：栅极和源极之间具有保护齐纳二极管

①

TK：N沟道
TJ：P沟道

②

最大值，导通电阻
VDSS＝400V或低于产品
（在最大驱动条件下）

R74＝0.74mΩ
8R2＝8.2mΩ
100＝10×100＝10mΩ
101＝10×101＝100mΩ

最大值，导通电阻
VDSS＝400V或高于产品
（在最大驱动条件下）

047＝0.047Ω
410＝0.41Ω
4K7＝4.7Ω

③封装

A：TO-220SIS
C：I2PAK
E：TO-220
F：TO-220SM（W）
G：D2PAK
J：TO-3P（N）
L：TO-3P（L）
M：TO-3P（N）IS
N：TO-247
P：DPAK／新PW-Mold
Q：IPAK／新PW Mold2
R：D2PAK+
S：DPAK+
V：DFN8x8
Z：TO-247 4L（4引脚）

④漏极-源极电压（VDSS）：
显示值×10倍＝VDSS

04：VDSS=40 V
10：VDSS=100 V

⑤ 系列

G：U-MOSVII
M：U-MOSVI
N：U-MOSVIII
P：U-MOSIX
Y：DTMOSⅤ

⑥ 附加信息

A: VGS＝10V（驱动）
B: VGS＝6V（驱动）
C: VGS＝4.5V（驱动）
H：低rg，VGS＝10V（驱动）
M：低rg，VGS＝6V（驱动）
L：低rg，VGS＝4.5V（驱动）