东芝不断改进各种性能,以提高应用设备的效率,减少MOSFET发热。在第8代MOSFET(U-MOSⅧ-H系列)中,除了这些改进外,还采用了新的单元结构,以降低开关过程中的噪声和振铃。此外,如下图所示,第9代U-MOSⅨ-H系列提供一系列低尖峰型和高效型产品,前者具有优化的缓冲电路常数。
R负载开关波形
VDD=30V,ID=50A
RG=4.7Ω,RGS=4.7Ω
电阻负载
Ta=25℃
L负载开关波形(trr)
VDD=30V
IDR=25A
di/dt=220A/μs
感性负载
Ta=25℃
东芝的TPH1R306P1是U-MOSⅨ-H系列追求高效率的低尖峰低噪声产品。与传统的TPH1R306PL比较,对于R负载开关波形,VDS的尖峰噪声减小约13%,对于L负载开关波形((Trr),VDS的尖峰噪声减小约为35%。
利用开关电源选型工具库(SMPS Lib.),您可以根据实际需求选择和下载电源单元的各种基本拓扑,以便在仿真环境中验证MOSFET的性能。
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