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东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

 2020年03月30日

东芝电子元件及存储装置株式会社

 - 进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线 -

TPH2R408QM,TPN19008QM.jpg

中国上海,2020年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。

新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。

由于采用了其最新一代的工艺制造技术,与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此,新产品可提供业界最低[3]功耗。

东芝正在扩展其降耗型产品线,从而为降低设备功耗提供帮助。

应用

  • 开关电源(高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等)
  • 电机控制设备(电机驱动等)

特性

  • 业界最低[3]功耗(通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡)
  • 业界最低[3]导通电阻:

            RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V (TPH2R40QM)

            RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V (TPN19008QM)

  • 高额定通道温度:Tch=175℃

主要规格

(除非另有说明,@Ta=25℃)

器件型号

TPH2R408QM

TPN19008QM

绝对最大额定值

漏源电压VDSS(V)

80

80

漏极电流(DC)  ID(A)

@Tc=25℃

120

34

通道温度Tch(℃)

175

175

电气特性

漏源导通电阻

RDS(ON)最大值(mΩ)

@VGS=10V

2.43

19

@VGS=6V

3.5

28

总栅极电荷(栅源+栅漏)

Qg 典型值(nC)

87

16

栅极开关电荷Qsw 典型值 (nC)

28

5.5

输出电荷Qoss典型值(nC)

90

16.5

输入电容 Ciss典型值(pF)

5870

1020

封装

名称

SOP Advance

TSON Advance

尺寸典型值(mm)

5.0×6.0

3.3×3.3

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注:

[1] 总栅极电荷(栅源+栅漏)、栅极开关电荷、输出电荷。

[2] 与TPH4R008NH(U-MOS Ⅷ-H系列)进行比较,TPH2R408QM的漏源导通电阻×总栅极电荷改善约为15%、漏源导通电阻×栅极开关电荷改善约为10%、漏源导通电阻×输出电荷改善约为31%。

[3] 截至2019年3月30日,东芝调研。

如需了解相关新产品的更多信息,请访问以下网址:

如需了解相关东芝12-300V MOSFET产品线的更多信息,请访问以下网址:

如需了解相关新产品在线分销商网站的供货情况,请访问以下网址:

TPH2R408QM

TPN19008QM

 

*公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

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电话:+81-3-3457-3933
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分立器件市场部(Discrete Marketing)
电话:021-6090-0610
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