东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
2020年03月30日
东芝电子元件及存储装置株式会社
- 进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线 -
中国上海，2020年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。
新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。
由于采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。
东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。
应用
- 开关电源（高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等）
- 电机控制设备（电机驱动等）
特性
- 业界最低[3]功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡）
- 业界最低[3]导通电阻：
RDS(ON)＝2.43mΩ（最大值）＠VGS＝10V (TPH2R40QM)
RDS(ON)＝19mΩ（最大值）＠VGS＝10V (TPN19008QM)
- 高额定通道温度：Tch＝175℃
主要规格
（除非另有说明，@Ta=25℃）
器件型号 |
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|---|---|---|---|---|
绝对最大额定值 |
漏源电压VDSS（V） |
80 |
80 |
|
漏极电流（DC） ID（A） |
@Tc＝25℃ |
120 |
34 |
|
通道温度Tch（℃） |
175 |
175 |
||
电气特性 |
漏源导通电阻 RDS(ON)最大值（mΩ） |
@VGS＝10V |
2.43 |
19 |
@VGS＝6V |
3.5 |
28 |
||
总栅极电荷（栅源+栅漏） Qg 典型值（nC） |
87 |
16 |
||
栅极开关电荷Qsw 典型值 (nC) |
28 |
5.5 |
||
输出电荷Qoss典型值（nC） |
90 |
16.5 |
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输入电容 Ciss典型值（pF） |
5870 |
1020 |
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封装 |
名称 |
SOP Advance |
TSON Advance |
|
尺寸典型值（mm） |
5.0×6.0 |
3.3×3.3 |
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库存查询与购买 |
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注：
[1] 总栅极电荷（栅源+栅漏）、栅极开关电荷、输出电荷。
[2] 与TPH4R008NH（U-MOS Ⅷ-H系列）进行比较，TPH2R408QM的漏源导通电阻×总栅极电荷改善约为15%、漏源导通电阻×栅极开关电荷改善约为10%、漏源导通电阻×输出电荷改善约为31%。
[3] 截至2019年3月30日，东芝调研。
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