东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化
2023年6月29日
东芝电子元件及存储装置株式会社
中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。
TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝使用早期工艺的100V产品“TPH3R70APL”低16%[2]。通过同样的比较，TPH3R10AQM将安全工作区扩展了76%[3]，使其适合线性模式工作，而且还降低了导通电阻，同时扩大了安全工作区的线性工作范围，减少了并联数量。此外，其栅极阈值电压范围为2.5V至3.5V，不易因栅极电压噪声而发生故障。
新产品采用高度兼容的SOP Advance(N)封装。
未来，东芝将继续扩展其功率MOSFET产品线，通过减少损耗来提高电源效率，并帮助降低设备功耗。
应用
- 数据中心和通信基站等通信设备的电源
- 开关电源（高效率DC-DC转换器等）
特性
- 具有业界领先的[2]低导通电阻：RDS(ON)＝3.1mΩ（最大值）（VGS＝10V）
- 宽安全工作区
- 高额定结温：Tch（最大值）＝175℃
注：
[1]在设备运行时，在不关闭系统的情况下导通和关断系统部件的电路。
[2]截至2023年6月的东芝调查。
[3]脉冲宽度：tw＝10ms，VDS＝48V
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25℃）
| 器件型号 | TPH3R10AQM | ||
|---|---|---|---|
| 绝对最大额定值 | 漏极-源极电压VDSS（V） | 100 | |
| 漏极电流（DC）ID （A） | Tc＝25°C | 120 | |
| 结温Tch（°C） | 175 | ||
| 电气特性 | 漏极-源极导通电阻RDS(ON)最大值（mΩ） | VGS＝10V | 3.1 |
| VGS＝6V | 6.0 | ||
| 总栅极电荷（栅极-源极+栅极-漏极）Qg典型值（nC） | 83 | ||
| 栅极开关电荷Qsw典型值（nC） | 32 | ||
| 输入电容Qoss典型值（nC） | 88 | ||
| 输入电容Ciss典型值（pF） | 5180 | ||
| 封装 | 名称 | SOP Advance(N) | |
| 尺寸典型值（mm） | 4.9×6.1 | ||
| 库存查询与购买 |  |
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TPH3R10AQM
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