按结构分类的MOSFET特性摘要
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基于各种MOSFET结构的特性和主要应用如表3-2所示。
- 耐受电压：选择目标耐受电压的最佳结构。
- 低导通电阻：U-MOS适用于250V及以下产品，SJ-MOS（或DTMOS）适用于大于250V的产品。
- 高电流：与低导通电阻的趋势相同。
- 高速：U-MOS由于栅极电容（Ciss）大，不利于高速开关。
根据产品的不同，利用低导通电阻特性，具有较小“Ron×Ciss”设计的高速开关也实现了商业化。
第Ⅲ章：晶体管
晶体管的类型
双极晶体管（BJT）
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
结型场效应晶体管（JFET）
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
MOSFET的性能：雪崩能力
MOSFET的性能：电容的特性
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
IGBT的性能改进：垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表：最大额定值
MOSFET的数据表：电气特性
MOSFET的数据表：电容和开关特性
MOSFET的数据表：体二极管
相关信息
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