2017年9月25日
东芝公司
东京—东芝电子元件及存储装置株式会社(TDSC)今日宣布推出一款新的MOSFET“SSM3K357R”,该产品采用有源箝钳位结构,漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。该器件适用于驱动机械继电器等电感负载。批量发货即日启动。
SSM3K357R为驱动器提供防电压浪涌损坏保护,例如电感引起的反电动势。该产品集成有下拉电阻器、串联电阻器和稳压二极管,有助于减少零部件数量并节省电路板空间。
SSM3K357R采用行业标准的SOT-23级封装,具备3.0V的低工作电压并且通过了AEC-Q101认证,因此适合于汽车和许多其他应用。
项目 (Ta=25℃) |
特性 | ||
---|---|---|---|
绝对最大额定值 | 漏源极电压 VDSS(V) |
60 | |
栅源极电压 VGSS(V) |
±12 | ||
漏极电流 ID(A) |
0.65 | ||
电气特性 | 漏源极导通电阻 RDS(ON)典型值(mΩ) |
|VGS|=3.0V | 1200 |
|VGS|=5.0V | 800 | ||
栅极总电荷 Qg典型值(nC) |
1.5 | ||
输入电容 Ciss典型值(pF) |
43 | ||
封装 | SOT-23F | 2.9mm × 2.4mm;t=0.8mm |
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/mosfet/small-mosfet.html
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