绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理

如图3-14（a）所示连接的IGBT的操作如下所示。
（1）对栅极施加正电压，将在栅极下面的P层中形成反转层。图3-14（b）中的N沟道MOSFET导通与常规N沟道MOSFET一样。
（2）当N沟道MOSFET处于导通状态时 ，集电极的电位为正。 因此，空穴将从P＋通过N＋注入到N-，这种注入加速了发射极电子的注入。
（3）结果，载流子（电子和空穴）的增加降低了通常具有高电阻的N层电阻（电导调制效应）。

因此，如图3-14（b）所示，N沟道MOSFET的导通电阻变低。

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