采用小型TSOP6F封装的1.5W MOSFET产品线扩展，将有助于减小设备尺寸

产品新闻2022年3月

采用小型TSOP6F封装的1.5 W MOSFET产品线扩展，将有助于减小设备尺寸

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）新推出两款采用小型高允许功耗TSOP6F封装的MOSFET产品，以扩展其产品线。它们分别为20V N沟道“SSM6K824R”和-30V P沟道 “SSM6J825R”，适用于消费电子设备和工业设备电机控制等应用。”

新产品采用东芝新工艺，导通电阻低。此外，TSOP6F封装通过扁平引线扩展了芯片安装能力，降低热阻。产品额定功耗仅为1.5W，有助于降低设备功耗。此外，与类似额定功耗的东芝SOP-8封装相比，TSOP6F封装安装面积约减少70%，有助于减小设备尺寸。

随着本次产品线扩充，我们现在有六款N沟道[1]和三款P沟道[1] 采用TSOP6F封装的单极性MOSFET产品，扩大了用户的产品选择范围。

注：
[1]截至2022年2月。

应用

  • 消费电子设备，工业设备（电机控制电路，电源管理开关等）

特性

  • 小型TSOP6F封装：2.9mm×2.8mm×0.80mm（典型值）
  • 高额定允许功耗：PD＝1.5W
  • 低导通电阻减小功耗：
    RDS(ON)＝33mΩ（最大值）@VGS＝4.5V（SSM6K824R）
    RDS(ON)＝73mΩ（最大值）@VGS＝-4.5V（SSM6J825R）

主要特性

（@Ta＝25°C）

器件型号 极性 封装 绝对最大额定值 电气特性
名称 尺寸典型值
（mm）


漏极-源极
电压

VDSS
（V）


栅极-源极
电压

VGSS
（V）

 漏极电流
（DC）
ID
（A）		 功耗
PD
（W）


漏极-源极导通电阻

RDS(ON)
最大值
（mΩ）

 输入电容
Ciss
典型值
（pF）		 栅极电荷总量
Qg
典型值
（nC）
@|VGS|＝4.5V
SSM6K824R N沟道 TSOP6F 2.9×2.8×0.80 20 ±8 6 1.5 33 410 3.6
SSM6K818R
[2][3]		 30 ±20 15 12.0 1130 7.5
SSM6K804R
[2][3]		 40 ±20 12 18 1110 7.5
SSM6K809R
[2][3]		 60 ±20 6 51 550 9.3
SSM6K810R
[2][3]		 100 ±20 3.5 92 430 3.2
SSM6K819R
[2][3]		 100 ±20 10 36.4 1110 8.5
SSM6J801R
[2]		 P沟道 -20 -8／+6 -6.0 32.5 840 12.8
SSM6J825R -30 -20／+10 -4 73 492 6.2
SSM6J808R
[2][3]		 -40 -20／+10 -7 48 1020 24.2

注：
[2] 现有产品
[3] 通过AEC-Q101汽车级认证

引脚分布

引脚分布

应用电路示例

应用电路示例

注：
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。

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