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采用小型TSOP6F封装的1.5 W MOSFET产品线扩展,将有助于减小设备尺寸

产品新闻2022年3月

采用小型TSOP6F封装的1.5 W MOSFET产品线扩展,将有助于减小设备尺寸

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)新推出两款采用小型高允许功耗TSOP6F封装的MOSFET产品,以扩展其产品线。它们分别为20V N沟道“SSM6K824R”和-30V P沟道 “SSM6J825R”,适用于消费电子设备和工业设备电机控制等应用。”

新产品采用东芝新工艺,导通电阻低。此外,TSOP6F封装通过扁平引线扩展了芯片安装能力,降低热阻。产品额定功耗仅为1.5W,有助于降低设备功耗。此外,与类似额定功耗的东芝SOP-8封装相比,TSOP6F封装安装面积约减少70%,有助于减小设备尺寸。

随着本次产品线扩充,我们现在有六款N沟道[1]和三款P沟道[1] 采用TSOP6F封装的单极性MOSFET产品,扩大了用户的产品选择范围。

注:
[1]截至2022年2月。

应用

  • 消费电子设备,工业设备(电机控制电路,电源管理开关等)

特性

  • 小型TSOP6F封装:2.9mm×2.8mm×0.80mm(典型值)
  • 高额定允许功耗:PD=1.5W
  • 低导通电阻减小功耗:
    RDS(ON)=33mΩ(最大值)@VGS=4.5V(SSM6K824R)
    RDS(ON)=73mΩ(最大值)@VGS=-4.5V(SSM6J825R)

主要特性

(@Ta=25°C)

器件型号 极性 封装 绝对最大额定值 电气特性
名称 尺寸典型值
(mm)


漏极-源极
电压

VDSS
(V)


栅极-源极
电压

VGSS
(V)

漏极电流
(DC)
ID
(A)
功耗
PD
(W)


漏极-源极导通电阻

RDS(ON)
最大值
(mΩ)

输入电容
Ciss
典型值
(pF)
栅极电荷总量
Qg
典型值
(nC)
@|VGS|=4.5V
SSM6K824R N沟道 TSOP6F 2.9×2.8×0.80 20 ±8 6 1.5 33 410 3.6
SSM6K818R
[2][3]
30 ±20 15 12.0 1130 7.5
SSM6K804R
[2][3]
40 ±20 12 18 1110 7.5
SSM6K809R
[2][3]
60 ±20 6 51 550 9.3
SSM6K810R
[2][3]
100 ±20 3.5 92 430 3.2
SSM6K819R
[2][3]
100 ±20 10 36.4 1110 8.5
SSM6J801R
[2]
P沟道 -20 -8/+6 -6.0 32.5 840 12.8
SSM6J825R -30 -20/+10 -4 73 492 6.2
SSM6J808R
[2][3]
-40 -20/+10 -7 48 1020 24.2

注:
[2] 现有产品
[3] 通过AEC-Q101汽车级认证

引脚分布

引脚分布

应用电路示例

应用电路示例

注:
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。

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