MOSFET的性能：电容的特性

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Ciss、Crss和Coss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素。

Ciss：输入电容（Ciss＝Cgd＋Cgs）

 ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和：它影响延迟时间；Ciss越大，延迟时间越长。

Crss：反向传输电容（Crss＝Cgd）

 ⇒栅极-漏极电容：Crss越大，漏极电流上升特性越差，这不利于MOSFET的损耗。高速驱动需要低电容。

Coss：输出电容（Coss＝Cgd＋Cds）

 ⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和：它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大，关断dv／dt减小，这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。

MOSFET的电容模型
图3-11（a）MOSFET的电容模型
MOSFET的典型电容特性
图3-11（b）MOSFET的典型电容特性

第Ⅲ章：晶体管

晶体管的类型
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双极晶体管（BJT）
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内置偏置电阻型晶体管（BRT）
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结型场效应晶体管（JFET）
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金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
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MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
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MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
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MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
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