MOSFET的性能:电容的特性

Ciss、Crss和Coss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素。

Ciss:输入电容(Ciss=Cgd+Cgs

 ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和:它影响延迟时间;Ciss越大,延迟时间越长。

Crss:反向传输电容(Crss=Cgd

 ⇒栅极-漏极电容:Crss越大,漏极电流上升特性越差,这不利于MOSFET的损耗。高速驱动需要低电容。

Coss:输出电容(Coss=Cgd+Cds

 ⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和:它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大,关断dv/dt减小,这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。

MOSFET的电容模型
图3-11(a)MOSFET的电容模型
MOSFET的典型电容特性
图3-11(b)MOSFET的典型电容特性

第Ⅲ章:晶体管

晶体管的类型
双极晶体管(BJT)
内置偏置电阻型晶体管(BRT)
结型场效应晶体管(JFET)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进:低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能:漏极电流和功耗
MOSFET的性能:雪崩能力
MOSFET的性能:安全工作区域(或安全操作区域)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理
IGBT的性能改进:垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表:最大额定值
MOSFET的数据表:电气特性
MOSFET的数据表:电容和开关特性
MOSFET的数据表:体二极管

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