扩大有助于车载设备稳定运行的-40 V／-60 V车载P沟道功率MOSFET产品线
2024年8月新产品
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已开始对两款采用TSON Advance（WF）封装的车载P沟道功率MOSFET进行量产，并扩大了其产品线。
这两款产品为-40V“XPN19014MC”和 -60V“XPN27016MC”。
"XPN19014MC" 和"XPN27016MC" 这两款产品符合汽车可靠性标准AEC-Q101。
其封装为TSON Advance（WF）贴片式封装，采用可焊锡侧翼引脚结构，便于自动在板外观检查。另外采用铜连接结构降低封装电阻。即使对于-4.5 V的测量条件，也能指定漏源导通电阻，这就实现了在电池电压下降时的稳定运行。此外,其栅极阈值电压范围为1.1 V，这减少了漏极电流的变化，降低了对其并联使用的控制难度。
应用
- 车载设备：负载开关、半导体继电器、电机驱动器等。
特性
- 符合AEC-Q101标准
- 低导通电阻
XPN19014MC：RDS(ON)＝18.7 mΩ（最大值）（VGS＝-10 V）
XPN27016MC：RDS(ON)＝27.3 mΩ（最大值）（VGS＝-10 V） - TSON Advance（WF）封装采用可焊锡侧翼引脚结构，便于自动在板外观检查
主要规格
（Ta＝25 °C，除非另有规定）
器件型号 |
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|---|---|---|---|---|---|
极性 |
P沟道 |
||||
绝对 最大 额定值 |
漏源电压VDSS（V） |
-40 |
-60 |
||
漏极电流（DC）ID（A） |
-20 |
-25 |
|||
漏极电流（脉冲）IDP（A） |
-60 |
-50 |
|||
结温Tch（°C） |
175 |
||||
电气特性 |
漏源 导通电阻 RDS(ON)（mΩ） |
VGS＝-4.5 V |
最大值 |
29.2 |
36.0 |
VGS＝-10 V |
最大值 |
18.7 |
27.3 |
||
栅极阈值 电压 Vth（V） |
VDS＝-10 V |
-1.0至-2.1 |
|||
热特性 |
结壳热阻 Zth(ch-c)（°C／W） |
Tc＝25 °C |
最大值 |
2.3 |
1.5 |
封装 |
TSON Advance（WF） |
||||
系列 |
U-MOSVI |
||||
内部电路
应用电路示例
注：
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
*本文提及的公司名称，产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。
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