半导体器件的允许耗散功率是多少?

允许的功率耗散在结点温度下会受到限制。
它的使用范围不得超过绝对最大额定值条件下的结点温度范围。

当功率在半导体器件中耗散时，结点温度升高。
温升ΔT_j如下所示：
ΔT_j[deg.C]＝ R_th [deg.C/W] × P_LOSS [W]
ΔT_j：结点温升
R_th：热阻
P_LOSS：半导体器件的耗散功率
结点温度如下所示：T_j [deg.C] = ΔT_j[deg.C] + T_a[deg.C]
T_j：结点温度
T_a：环境温度
＊在双极晶体管中，T_j表示结点温度。在MOSFET中, 用T_ch 代替T_j，表示结温。

因此，允许功率P[W]如下所述。
P[W] =（T_j [deg.C] - T_a [deg.C]）/ R_th [deg.C/W]

尽管可以在最大结点温度Tj（最大值）或较低温度下使用，但必须适当考虑可靠性的影响因素，比如劣化和寿命。劣化，比如性能退化，将会随着结点温度升高而加速。为了保持在您设备上的长期稳定性能，请采用最大结点温度Tj（最大值）降额设计。

请参考以下信息：

• 可靠性信息
• 散热片的热设计和附件： 功率MOSFET应用说明（PDF：1,061KB）