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有助于降低电源EMI的低尖峰型40V N沟道功率MOSFET:TPHR7404PU

产品新闻2021年2月

The package photograph of a low-spike-type 40 V N-channel power MOSFET that helps reducing EMI of power supplies : TPHR7404PU.

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了适用于电源应用的40V U-MOSIX-H系列N沟道功率MOSFET“TPHR7404PU”。
这是一款采用最新一代工艺[1]U-MOSIX-H制造,具有低压沟槽结构的新型低尖峰型产品,其导通电阻低于采用相同工艺制造的“TPH1R204PB”。
这款新产品能够抑制开关操作中漏极和源极之间所产生的低峰值电压,所以适用于要求低EMI的开关电源二次同步整流。
此外,该产品采用业界领先的[2]低导通电阻,有助于降低电源的导通损耗。
U-MOSIX-H系列包含低尖峰型产品和高效型产品,用户可以选择适合其应用的产品。

注:
[1]截止于2021年1月
[2]根据东芝的调查(截止至2021年1月),与具有相同最大额定值的产品相比

特性

  • 低尖峰型产品
  • 业界领先的[2]低导通电阻:
    RDS(ON)=0.74mΩ(最大值)@VGS=10V
  • 低栅极电压驱动(6V驱动)

应用

  • 各种电源(高效AC-DC转换器、高效DC-DC转换器等)
  • 电机控制设备(电机驱动等)

产品规格

(除非另有规定,@Ta=25 °C)

器件型号 绝对最大额定值 漏源导通电阻
RDS(ON)
最大值
(mΩ)
总栅极电荷
Qg典型值
(nC)
输出电荷
Qoss典型值
(nC)
输入电容
Ciss典型值
(pF)
栅极电阻
rg典型值
(Ω)
封装
漏源电压
VDSS
(V)
漏极电流
(DC)ID
@Tc=25°C
(A)
@VGS=10V @VGS=6V
TPHR7404PU 40 150 0.74 1.17 98 90 6960 3 SOP Advance

内部电路

The illustration of internal circuit of a low-spike-type 40 V N-channel power MOSFET that helps reducing EMI of power supplies : TPHR7404PU.

应用电路示例

The illustration of application circuit examples of a low-spike-type 40 V N-channel power MOSFET that helps reducing EMI of power supplies : TPHR7404PU.

本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。

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