MOSFET的结构和工作原理

我们将参照图3-6(a)来解释MOSFET的工作原理。
(1)在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。(漏极-源极电压:VDS)
(2)在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。(栅极-源极电压:VGS)
(3)其结果是,电子被吸引到栅极绝缘膜下面的p型层上,部分p型层转变为n型区(p型层中的n型区称为“反转层(沟道)”)。
(4)当这个反转层完成时,MOSFET漏极到源极将形成n层路径。
(n+⇔n-⇔ 反转层(n)⇔ n+)
(5)因此MOSFET在低电阻下工作,漏极电流由外加VDS和负载流决定。

平面栅极MOSFET的结构和工作原理/沟槽栅极MOSFET的结构和工作原理

图3-6(a)平面栅极MOSFET的结构和工作原理

图3-6(b)沟槽栅极MOSFET的结构和工作原理

第Ⅲ章:晶体管

晶体管的类型
双极晶体管(BJT)
内置偏置电阻型晶体管(BRT)
结型场效应晶体管(JFET)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
BJT和MOSFET的差异
MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进:低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能:漏极电流和功耗
MOSFET的性能:雪崩能力
MOSFET的性能:电容的特性
MOSFET的性能:安全工作区域(或安全操作区域)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理
IGBT的性能改进:垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表:最大额定值
MOSFET的数据表:电气特性
MOSFET的数据表:电容和开关特性
MOSFET的数据表:体二极管

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