MOSFET的结构和工作原理
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我们将参照图3-6（a）来解释MOSFET的工作原理。
（1）在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。（漏极-源极电压：VDS）
（2）在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。（栅极-源极电压：VGS）
（3）其结果是，电子被吸引到栅极绝缘膜下面的p型层上，部分p型层转变为n型区（p型层中的n型区称为“反转层（沟道）”）。
（4）当这个反转层完成时，MOSFET漏极到源极将形成n层路径。
（n＋⇔n－⇔ 反转层（n）⇔ n＋）
（5）因此MOSFET在低电阻下工作，漏极电流由外加VDS和负载流决定。
图3-6（a）平面栅极MOSFET的结构和工作原理
图3-6（b）沟槽栅极MOSFET的结构和工作原理
第Ⅲ章：晶体管
晶体管的类型
双极晶体管（BJT）
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
结型场效应晶体管（JFET）
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
BJT和MOSFET的差异
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
MOSFET的性能：雪崩能力
MOSFET的性能：电容的特性
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
IGBT的性能改进：垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表：最大额定值
MOSFET的数据表：电气特性
MOSFET的数据表：电容和开关特性
MOSFET的数据表：体二极管
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