采用L-TOGL™封装，支持大电流和高散热的80V／100V车载N沟道功率MOSFET的产品线扩展
产品新闻2023年6月
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出两款采用L-TOGL™封装的车载N沟道功率MOSFET产品，满足汽车设备对48V电池日益增长的需求。这两款产品分别是80V “XPQR8308QB”和100 V “XPQ1R00AQB”。
用于轻型电动汽车和ISG的逆变器、电池管理系统和接线盒的负载开关和半导体继电器，要求产品具有高可靠性、高漏极电流额定值和高散热设计[1]。
新产品采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺，导通电阻极低。此外，L-TOGL™封装采用铜夹片结构，通过厚铜框连接MOSFET芯片和外部引脚。与东芝现有TO-220SM(W)封装相比，封装电阻下降大约70%，结壳热阻降低50%[2]。同时，该封装采用鸥翼式引线，可降低安装应力，提高板载贴装器件焊点可靠性。这些特性可以在大电流时实现设备的低功耗和高散热。
当应用需要更大工作电流时，可以并联MOSFET。在这种并联连接中，并联MOSFET的特性差异越小越好。为减小这种偏差，我们支持根据栅极阈值电压分组发货[3]。
本系列目前有四种L-TOGL™封装产品，包括东芝现有40V产品“XPQ1R004PB和 XPQR3004PB”。东芝将提供更多合适的产品，以满足车载应用对大电流、高功率密度设计和高可靠性不断增长的需求。
注：
[1]ISG: 集成式起动发电机
[2]东芝现有产品XK1R9F10QB（100V产品）
[3]东芝提供分组出货，每卷产品栅极阈值电压偏差范围为0.4V。但不允许指定特定组别。请联系我们的销售代表了解更多信息。
应用
- 汽车设备（逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动电路等）
特性
- 低导通电阻：:
XPQR8308QB RDS(ON)＝0.83mΩ（最大值） （VGS＝10V）
XPQ1R00AQB RDS(ON)＝1.03mΩ（最大值)（VGS＝10V）
- L-TOGL™高散热封装
- AEC-Q101认证
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25 °C）
器件型号 |
极性 |
绝对最大额定值 |
漏极-源极 导通电阻 RDS(ON) （mΩ） |
结壳 热阻 Zth(ch-c) （°C/W） |
封装 |
系列 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
漏极-源极电压 VDSS （V） |
漏极电流（DC） ID （A） |
漏极电流（脉冲） IDP （A） |
结温 Tch （°C） |
VGS＝6V |
VGS＝10V |
Tc＝25°C |
||||
最大值 |
最大值 |
最大值 |
||||||||
| N沟道 | 80 | 350 |
1050 |
175 | 1.23 |
0.83 |
0.2 |
L-TOGL™ | U-MOSⅩ-H | |
| 100 | 300 |
900 |
175 | 1.93 |
1.03 |
0.2 |
||||
内部电路
应用电路示例
注：
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
*L-TOGL™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
*其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，仅反映公告发布当日的情况，如有变更，恕不另行通知。