功率半导体

功率半导体是通过控制电流以减少功率损耗的半导体器件。个人电脑和其他电子设备在运行时会不断断电。通过使用高性能功率半导体可以保持较低的功率损耗。高性能功率半导体不仅可以实现个人电脑的节能，还可以实现智能手机、车载应用、轨道交通和变电站的节能。

产品线

SiC功率器件

SiC MOSFET
东芝的1200V SiC MOSFET具有高速开关和低导通电阻，非常适合大功率、高效率工业电源、低损耗太阳能逆变器和UPS应用。
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SiC肖特基势垒二极管
东芝提供额定电流为2A至10A的650V碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）。
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SiC MOSFET模块
我们的SiC MOSFET模块具有高速开关性能，并使用SiC（碳化硅），这是一种针对低损耗和小型化应用设计的新型材料，适用于铁路车辆和光伏逆变器的逆变器和转换器等应用。
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MOSFET

12V - 300V MOSFET
东芝使用每一代连续的沟槽栅极结构和制造工艺来稳定降低其低压功率MOSFET的漏源导通电阻RDS(ON)。
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400V - 900V MOSFET
东芝提供适合高输出电源应用的超级结MOSFET系列产品和适合低输出电源应用的D-MOS（双扩散）MOSFET系列产品。
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车载MOSFET
东芝提供广泛的功率器件系列，例如适用于各种汽车应用（包括12V电池和电机控制系统）的功率MOSFET。
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IGBT／IEGT

IGBT
东芝分立IGBT有助于IH烹饪设备、电饭锅、厨房微波炉、冰箱、洗衣机、空调等应用的节能。
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IEGT（PPI）
IEGT出色的关断性能和宽的安全工作区域有助于降低功耗、缩小尺寸并提高设备效率。
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二极管

开关二极管
东芝提供正向电流范围为80 mA至500 mA1电路至4电路产品，采用适合高密度电路板组装的小型表面贴装封装。
肖特基势垒二极管
东芝提供优质低VF型和低IR型的通用乃至大功率产品。这有助于提高各种设备的功率效率和节能。
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齐纳二极管
齐纳二极管具有从6.2 V到82 V的广泛齐纳电压规格，其广泛的应用领域包括消费电子和工业电子。
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整流二极管
反向电压在200 V至1000 V之间，平均正向电流在0.5 A至3 A之间的二极管，以中小型贴片式封装提供。

技术文章

第3代碳化硅（SiC）MOSFET
东芝第3代碳化硅（SiC）MOSFETMOSFET推出电压分别为650 V和1200 V的两款系列产品。与第2代产品一样，东芝新一代MOSFET内置了SiC肖特基势垒二极管（SBD），其正向电压（VF）低至-1.35V（典型值），以抑制RDS(on) 波动，从而提高可靠性。此外，东芝先进的SiC工艺[1]显著改善了单位面积导通电阻RonA，以及代表开关特性的性能指标Ron*Qgd。此外，极驱动电路设计简单，可防止开关噪声引起的故障。
东芝第3代SiC MOSFET拥有更低的功耗，支持更高的功率密度，如开关电源（数据中心服务器、通信设备等）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站等。
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第3代碳化硅（SiC）MOSFET
第3代SiC肖特基势垒二极管（SBD）
采用新型肖特基金属，搭载了第3代SiC SBD芯片，优化了第二代结势垒肖特基（JBS）结构。因此，实现了业界领先的1.2 V（典型值）低正向电压，比第2代的 1.45 V（典型值）低 17%。第3代产品与第2代产品相比，改善了正向电压和总电容电荷之间，以及正向电压和反向电流之间的平衡，降低了功耗的同时有助于提高设备效率。
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第3代SiC肖特基势垒二极管（SBD）
SiC MOSFET模块的特点
我们的SiC MOSFET模块实现了高可靠性，宽栅极-源极电压和高栅极阈值电压。 另外，高耐热性和低电感封装充分发挥了SiC的性能。
MOSFET / SiC MOSFET模块
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东芝SiC MOSFET模块的优点
与IGBT模块相比，SiC MOSFET模块的低损耗特性可以降低总损耗（开关损耗+导通损耗）。高速开关和低损耗操作还有助于减小滤波器、变压器和散热器的尺寸，实现了紧凑、轻便的系统。
MOSFET / SiC MOSFET模块
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SiC SBD的高耐压（反向电压）特性
实现了一种高击穿电压器件，其介电击穿场强比硅SBD高近10倍。
二极管/SiC肖特基二极管
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低开关损耗SiC肖特基势垒二极管（SBD）
通过使用SiC，实现了具有高耐压和低开关损耗（低反向恢复电荷）的器件。
二极管 / SiC肖特基势垒二极管
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有助于高输出电源的高效率和低损耗
与FRD相比，恢复损耗大大降低：快速恢复二极管
二极管 / SiC肖特基势垒二极管
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改进JBS结构以降低泄漏电流和提高浪涌电流能力
采用改进的JBS结构，降低了SBD的泄漏电流和提高了浪涌电流能力
二极管/SiC肖特基二极管
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3相AC 400V输入PFC转换器参考设计
使用第2代SiC MOSFET提高电源系统效率
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5kW隔离式双向DC-DC转换器参考设计
使用第2代SiC MOSFET提高电源系统效率
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使用东芝的SiC MOSFET开启电源的新大门
SiC MOSFET支持小型化、低损耗电源
产品
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使用SiC MOSFET的好处是什么?
与Si IGBT相比，东芝SiCMOS实现了低导通电阻和高速开关。
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第2代SiC MOSFET／IGBT开关损耗比较
东芝的TW070J120B 1200V SiC MOSFET具有低导通电阻，低输入电容和低总栅极电荷总量的特性，因而可实现高开关速度并降低功耗。
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第2代SiC MOSFET的特性
由于碳化硅（SiC）的介电击穿强度大约是硅（Si）的10倍，因此SiC功率器件可以提供高耐压和低导通电阻。
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适用于电源电路的SiC器件
SiC肖特基二极管（SBD）实现了使用Si肖特基二极管无法实现的高的SBD击穿电压，并且显著降低了使用p-n结二极管无法实现的反向恢复时间（电荷），比如Si-FRD（快速恢复二极管）。
二极管/SiC肖特基二极管
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适用于USB设备和电池组保护的30 V N沟道共漏极MOSFET
该产品有两个内部连接的MOSFET元件，采用芯片LGA封装TCSPAG-341501（3.37 mm×1.47 mm（典型值）），设计紧凑，厚度轻薄，导通电阻低（Rss(on) 9.9 mΩ（典型值）@VGS＝10 V）。适用于USB设备和电池组保护应用。
MOSFET、12 V-300 V MOSFET
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600 V超结结构N沟道功率MOSFET DTMOSⅥ系列“TK024N60Z1”提高了电源效率
新型N沟道功率MOSFET在DTMOSⅥ 600 V系列中具有最小漏极-源极导通电阻0.024 Ω（最大值）。
MOSFET／400 V - 900 V MOSFET
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U-MOS X-H系列150V MOSFET——高效率开关电源的理想选择
东芝电子元件及存储装置株式会社推出采用U-MOS X-H工艺的150V功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）系列产品，将显著改善通信基站电源和数据中心服务器电源等高效开关电源的导通电阻和电荷特性。
MOSFET / 12V－300V MOSFET
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通过搭载了150V MOSFET的多电平逆变器来提高效率
电机控制逆变器对于工业机器人这类应用很有必要，有助于推动工厂自动化。本文介绍一种提高效率的方法， 通过使用150V MOSFET的多电平逆变器替代使用600V MOSFET的2电平逆变器。
MOSFET / 12V－300V MOSFET
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有助于提高开关电源的效率
积极降低MOSFET开关损耗
MOSFET / 400V-900V MOSFET
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有助于减少开关电源的损耗
80V N沟道MOSFET，取得了导通电阻和充电特性之间的平衡
MOSFET / 12V－300V MOSFET
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U-MOSⅨ-H系列是提高开关电源效率的理想MOSFET。
U-MOSⅨ-H系列利用卓越的高速性能，为各种拓扑结构的开关电源提供低损耗产品。
MOSFET／12V-300V MOSFET
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U-MOSIX-H系列大幅改善了代表损耗的品质因数。
U-MOSIX-H系列采用卓越的沟槽工艺和封装技术，提供业内最好的性能。
MOSFET／12V-300V MOSFET
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通过缓冲电路降低开关噪声（低尖峰技术）
U-MOSIX-H系列有一系列低尖峰型和高效型，前者具有优化的缓冲电路常数，它们使产品的选择更具目的性。
MOSFET／12V-300V MOSFET
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东芝MOSFET是低电压驱动设备的理想选择。
东芝MOSFET采用精细间距工艺，支持1.2V低电压驱动，导通电阻低
MOSFET／12V-300V MOSFET
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先进的超结MOSFET DTMOSVI
DTMOS系列具有超结结构，即使漂移层具有高耐受电压，也能够降低其电阻。我们的第四代DTMOSIV系列采用了单次外延工艺来实现低导通电阻和高速开关
MOSFET／400V-900V MOSFET
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DSOP Advance，热增强的双面散热封装，提高了大电流应用的电源效率。
DSOP Advance封装通过散热降低大电流流动过程中的温升，通过缩小电源电路来提高功率密度和效率。
MOSFET／12V-300V MOSFET
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先进的双扩散MOSFET（D-MOS）π-MOSⅨ系列
π-MOS系列采用D-MOS（双扩散MOS）结构，且该系列提供从200V到900V的宽电压范围。
MOSFET／400V-900V MOSFET
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产品种类繁多，从超小封装到通用封装应有尽有。
东芝的MOSFET采用先进技术实现了小型化、低导通电阻。
MOSFET／12V-300V MOSFET
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新型TO-247-4L封装600-V超结功率MOSFET（DTMOSⅣ-H系列）的商业化
TO-247-4L封装可以降低封装内源线电感的影响，从而进一步提高MOSFET芯片的高速开关性能。
MOSFET／400V-900V MOSFET
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采用最新工艺的P通道MOSFET系列
卓越的沟槽技术实现了低导通电阻特性和从1.2V到10V的宽驱动电压范围。
MOSFET／12V-300V MOSFET
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N沟道U-MOS系列的开关特性
U-MOSⅧ系列通过调谐Coss・Rs抑制VDS振铃，有助于降低EMI噪声。
MOSFET／车载MOSFET
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车载MOSFET的工艺趋势
东芝车载MOSFET将小尺寸沟槽工艺技术与低电阻封装技术相结合，比如铜连接器键合，以实现行业领先的低导通电阻。
MOSFET／车载MOSFET
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车载MOSFET的封装趋势
DPAK＋、DSOP Advance(WF)、SOP Advance(WF)和TSON Advance(WF)采用铜连接器结构，实现了大约两倍于传统型号的载流能力。
MOSFET / 车载MOSFET
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车载应用推动小型MOSFET设备的小型化
它的特点是结合了沟槽微加工和低电阻封装技术，以取代传统的功率MOSFET位置，从而有助于功率设备的小型化。
MOSFET／车载MOSFET
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低辐射发射噪声
优化的芯片设计可实现低辐射发射噪声。通常，较低的外部栅极电阻（RG）降低关断开关损耗并提高辐射的发射噪声。通过改善关断开关损耗和辐射发射噪声之间的平衡，可降低开关损耗。
IGBT／IEGT / IGBT
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安全操作范围广
新产品的优化型芯片设计将安全操作范围扩展至更高的电压。这样可防止应用程序因瞬态状态下的误动作而发生损坏。
IGBT／IEGT / IGBT
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短路电流减小
通过降低集电极与发射极之间的饱和电流减小短路电流。在IH应用的电压谐振电路中，短路电流减小。
IGBT／IEGT / IGBT
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低损耗（FRD）
低损耗FRD可通过降低导通损耗实现，有助于在应用时节能。
IGBT／IEGT / IGBT
详细信息
低损耗（IGBT）
通过降低关断开关损耗来实现低损耗，有助于在应用时节能。
IGBT／IEGT / IGBT
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压接式封装
将多个IEGT芯片以阵列形式放置于同一平面上，用钼板将单个IEGT芯片从两端均匀地压入。每个IEGT芯片的集电极和发射极将在机械压力的作用下通过钼板接触到压装式外壳的相应铜电极。这不仅实现了电气连接也保证了散热。
IGBT／IEGT，IEGT
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工作原理
图A显示了传统IGBT的截面结构和N区载流子分布。N区载流子浓度从集电极到发射极呈单调下降趋势。为了提高IGBT的集电极-发射极电压，需要在集电极和发射极之间设置一个深N区。
IGBT／IEGT，IEGT
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肖特基势垒二极管
肖特基势垒二极管是通过半导体与金属结形成的半导体二极管。
Diodes / Schottky Barrier Diodes
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改进的结型势垒肖特基（JBS）结构可减少漏电流并提高浪涌电流能力
肖特基势垒二极管（SBD）具有反向恢复时间（trr）短、正向电压（VF）低等优点，但也存在高漏电流大等缺点。东芝推出了采用改进结构的SBD产品。
Diodes / Schottky Barrier Diodes
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齐纳二极管提供过压保护
齐纳二极管适用于保护电源线、电源控制线，并能保护内部电路和IC免受热插拔等引起的过压影响。
Diodes / Zener Diodes
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齐纳二极管可防止各种过压脉冲浪涌
齐纳二极管的特点是能够保护对象免受瞬态过压脉冲以及接近直流的过压脉冲的影响，ESD保护二极管很难做到这一点。
Diodes / Zener Diodes
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目录

名称 日期
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应用说明

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技术专辑

参考设计

使用SiC MOSFET的3相逆变器
该参考设计提供了使用1200V SiC MOSFET的3相逆变器的设计指南、数据和其他内容。此设计驱动交流440V电机。
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This is a picture of the Vienna rectifier circuit PFC power supply that supports 3-phase AC 400V input.
3-Phase AC 400V Input Vienna Rectifier PFC Power Supply
3-phase AC power is provided to industrial facilities, etc., and 400V (line voltage) systems are widely used outside Japan. When using such 3-phase AC 400V system inputs for EV chargers and other equipment, a PFC (Power Factor Correction) power supply that rectifies AC to DC with a high power-factor is essential. This design is a PFC power supply that inputs a 3-phase AC 400V and outputs a DC 750V. A Vienna rectifier topology is used to achieve high-efficiency in 3-level operation, and power can be supplied to 5kW.Design tips on each portion of the circuit, method of operation, and design information such as circuit diagrams and PCB patterns are available, please use them for your design.
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PCB照片（示例）
1.6 kW服务器电源（升级版）
得益于东芝最新的功率器件和数字隔离器，这款1U尺寸、12 V输出的1.6 kW服务器电源在整个负载下实现了比使用相同电路拓扑的现有参考设计更高的效率。提供了电路设计和操作的设计文件和指南，可用作参考设计。
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1.6kW T型三电平PFC电源
1.6kW T型三电平PFC电源
本参考设计提供使用T型三电平功率因数校正（PFC） 电路的1.6kW AC-DC转换器电源的设计指南、数据等内容。
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单相PFC电源基础仿真电路的电路图
单相PFC电源基础仿真电路
可在OrCAD®上操作的仿真电路、设计参考文件、组成器件的概述
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交错式PFC电源基础仿真电路的电路图
交错式PFC电源基础仿真电路
可在OrCAD®上操作的仿真电路、设计参考文件、组成器件的概述
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无桥PFC电源基础仿真电路的电路图
无桥PFC电源基础仿真电路
可在OrCAD®上操作的仿真电路、设计参考文件、组成器件的概述
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1.6kW，80+白金级高效服务器AC-DC电源的特点
1.6kW，80+白金级高效服务器AC-DC电源
该参考设计提供了使用半无桥／隔离相移全桥的1.6kW 80+白金级电源的设计指南，数据和其他内容。
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车载用的3 kW 48 V-12 V双向DC-DC转换器
近年来，为了减少温室气体排放，xEV（混合动力汽车和电池驱动的电动汽车）越来越受欢迎。xEV内部除了12 V电池外，还可能配备48 V电池，以减少电力损耗。该设计是一种双向DC-DC转换器，适用于具有48 V电池和12 V电池的应用。它通过使用具有低导通电阻和高散热性的东芝汽车MOSFET，实现了高效率运行。该参考设计提供了电路各部分的设计技巧、操作方法以及电路图和PCB图案等设计信息，请在设计中使用它们。
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电路板外观
无绳电动工具逆变器
三相无刷直流电机驱动电路结合了六个MOSFET（TPH1R204PB、TPH2R408QM）和一个栅极驱动器（TB67Z833SFTG），实现了紧凑而高效的电机控制。它支持各种输入模式。该参考设计提供设计指南、数据和其他内容。
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使用TB9103FTG的车载直流有刷电机控制电路
该参考设计提供了使用TB9103FTG的车载直流有刷电机控制电路可在半桥模式下控制两台电机，或在H桥模式下控制一台电机。可以使用板载开关或外部MCU控制电机的设计指南、数据和其他内容。
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This is a picture of Gate Drive for SiC MOSFET Module.
SiC MOSFET模块的栅极驱动电路
该参考设计提供了用于驱动工业电机驱动器等功率转换设备中使用的SiC MOSFET模块的栅极。它可以通过使用外部缓冲MOSFET，以大电流驱动SiC MOSFET模块的栅极。
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PCB图片（示例）
48 V总线兼容1.2 V/100 A双降压DC-DC转换器
为了降低数据中心的功耗，服务器的48 V电源越来越受欢迎。该DC-DC转换器可以将48 V总线电压高效地转换为1.2 V/100 A，供服务器上的多个设备使用。提供了电路设计和操作的设计文件和指南，可用作参考设计。
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PCB照片（示例）
1.6 kW服务器电源（升级版）
得益于东芝最新的功率器件和数字隔离器，这款1U尺寸、12 V输出的1.6 kW服务器电源在整个负载下实现了比使用相同电路拓扑的现有参考设计更高的效率。提供了电路设计和操作的设计文件和指南，可用作参考设计。
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多路复用器电路PCB照片示例
使用共漏极MOSFET的电源多路复用器电路
此参考设计中，在一个小型印刷电路板（PCB）上实现了具有2个输入和1个输出的电源多路复用器电路。我们现已在已开发的电源多路复用器电路参考设计中增加了使用共漏极MOSFET的应用电路。该参考电路通过将东芝多种产品线中的MOSFET栅极驱动IC和齐纳二极管等器件进行理想组合，可以实现BBM和MBB模式的切换。
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使用SiC MOSFET的3相逆变器
该参考设计提供了使用1200V SiC MOSFET的3相逆变器的设计指南、数据和其他内容。此设计驱动交流440V电机。
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用于USB PD的车载Buck-Boost DC-DC转换器
该参考设计提供了用于USB PD的车载Buck-Boost DC-DC转换器的设计指南、数据和其他内容。
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PCB图片（示例）
采用MOSFET的3相多电平逆变器
该参考设计提供了具有5电平输出的3相多电平逆变器的设计指南、数据和其他内容。其采用150V MOSFET驱动AC 200V电机。
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PCB Photo (example)
用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器
该参考设计提供了用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器的设计指南、数据和其他内容。
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1.6kW T型三电平PFC电源
1.6kW T型三电平PFC电源
本参考设计提供使用T型三电平功率因数校正（PFC） 电路的1.6kW AC-DC转换器电源的设计指南、数据等内容。
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电源多路复用器电路PCB照片示例
电源多路复用器电路
在此参考设计中，在一个小型印刷电路板（PCB）上实现了具有2个输入和1个输出的电源多路复用器电路。将从东芝的多种产品线选择的MOSFET栅极驱动电路IC、eFuse IC、齐纳二极管和小型封装MOSFET等器件进行组合，实现具有BBM和MBB开关的理想二极管。
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100W LLC DC-DC转换器的电路板照片
100W LLC DC-DC转换器
此参考设计提供了使用LLC谐振实现零电压开关的100W LLC DC-DC转换器的设计指南、数据和其他内容。
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200W有源钳位正向DC-DC转换器的外观照片
200W有源钳位正向DC-DC转换器
此参考设计提供了使用N沟道MOSFET作为钳位开关的200W有源钳位正向DC-DC转换器的设计指南、数据和其他内容。
详细信息
非隔离降压DC-DC转换器的外观图片
非隔离降压DC-DC转换器
此参考设计提供了多个非隔离降压DC-DC转换器电源的设计指南、数据和其他内容。多种电源针对各种输出、负载和电路板安装区域进行了优化。
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矩阵式LED头灯的电路板图片
矩阵式LED前照灯
本参考设计提供了LED矩阵前照灯的设计指南、数据和其他内容。它根据情况独立控制多个LED的照明。
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采用TOLL封装DTMOS的500W服务器电源的特点
采用TOLL封装DTMOS的500W服务器电源
此参考设计提供了使用连续电流型PFC和LLC DC-DC转换器的500W服务器电源的设计指南、数据和其他内容。在PFC电路中使用TOLL封装MOSFET，减小了整体尺寸并提高了功率密度。
详细信息
100W LED照明电源的电源图片
100W LED照明电源
此参考设计提供了具有PFC和宽输入电压范围（即AC 90V至264V）的LED照明恒流100W电源的设计指南、数据和其他内容。
详细信息
1kW全桥DC-DC转换器的外观照片
1kW全桥DC-DC转换器
该参考设计提供了使用相移全桥DC-DC转换器的1kW服务器电源的设计指南，数据和其他内容。
详细信息
1.6kW 48V输出电信设备电源的外观照片
1.6kW 48V输出电信设备电源
该参考设计提供了采用半无桥PFC和隔离相移全桥DC-DC转换器的1.6kW 48V输出电源的设计指南，数据和其他内容。
详细信息
有源钳位正激DC-DC电源基础仿真电路的电路
有源钳位正激DC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供了基于OrCAD®的仿真电路、仿真结果和设计指南，用于设计DC-DC电源的有源钳位正激拓扑。
详细信息
有源钳位正激AC-DC电源基础仿真电路的电路图
有源钳位正激AC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供基于OrCAD®的参考设计、仿真结果和设计指南，用于设计AC-DC电源的有源钳位正激拓扑结构。
详细信息
全桥型DC-DC电源基础仿真电路的电路图
全桥型DC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供基于OrCAD®的仿真电路、仿真结果和设计指南，用于设计DC-DC电源的全桥拓扑。
详细信息
全桥AC-DC电源基本仿真电路的电路
全桥AC-DC电源基本仿真电路
该参考设计提供了基于OrCAD®的仿真电路，仿真结果和设计指南。这是用于设计AC-DC电源的全桥拓扑。
详细信息
非隔离同步降压DC-DC电源基础仿真电路的电路
非隔离同步降压DC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供了基于OrCAD®的仿真电路、仿真结果和设计指南。用于设计非隔离式同步降压DC-DC电源。
详细信息
半桥（HB）AC-DC电源基础仿真电路
半桥（HB）AC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供基于OrCAD®的仿真电路、仿真结果和设计指南。用于设计AC-DC电源的半桥（HB）拓扑。
详细信息
半桥（HB）DC-DC电源基础仿真电路的电路
半桥（HB）DC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供基于OrCAD®的仿真电路、仿真结果和设计指南。用于设计DC-DC电源的半桥（HB）拓扑。
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光伏输出光耦和MOSFET替代机械式继电器的HVAC应用
光伏输出光耦和MOSFET替代机械式继电器
具有光电输出耦合器TLP3906和MOSFET TPH1R306PL的固态继电器。介绍固态继电器电路替代机械继电器的设计指南。
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符合48V总线电压的1.2V／100A输出DC-DC转换器的特点
符合48V总线电压的1.2V／100A输出DC-DC转换器
该参考设计提供了1.2V／100A输出隔离式DC-DC转换器的规格，框图和PCB布局数据，该转换器将48V总线电压直接转换为1.2V。
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移相全桥（PSFB）AC-DC电源基础仿真电路的电路
移相全桥（PSFB）AC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供基于OrCAD®的仿真电路、仿真结果和设计指南。用于设计AC-DC电源的相移全桥（PSFB）拓扑。
详细信息
反激式DC-DC电源基础仿真电路的电路
反激式DC-DC电源基础仿真电路
该参考设计提供基于OrCAD®的仿真电路、仿真结果和设计指南。用于设计DC-DC电源的反激式拓扑。
详细信息
反激式AC-DC电源基础仿真电路的电路
反激式AC-DC电源基础仿真电路
可在OrCAD®上操作的仿真电路、设计参考文件、组成器件的概
详细信息
300W隔离式DC-DC转换器的特点
300W隔离式DC-DC转换器
介绍了电源的概述，设计参考文件，可以导入到EDA工具的电子文件，以及组成器件的概述
详细信息
单相PFC电源基础仿真电路的电路图
单相PFC电源基础仿真电路
可在OrCAD®上操作的仿真电路、设计参考文件、组成器件的概述
详细信息
交错式PFC电源基础仿真电路的电路图
交错式PFC电源基础仿真电路
可在OrCAD®上操作的仿真电路、设计参考文件、组成器件的概述
详细信息
无桥PFC电源基础仿真电路的电路图
无桥PFC电源基础仿真电路
可在OrCAD®上操作的仿真电路、设计参考文件、组成器件的概述
详细信息
200W AC-DC电源的方框图
200W AC-DC电源
该参考设计提供了适用于消费类应用和嵌入式电源的DC 24V／200W AC-DC电源的规格、方框图和PCB布局数据。
详细信息
MOSFET驱动IC应用和TCK401G的电路的电池充电器检测
MOSFET驱动IC应用和TCK401G的电路
介绍了TCK401G的特性、负载开关电路的应用、设计参考文件、可以导入到EDA工具的电子文件、以及组成器件的概述
详细信息
MOSFET驱动IC应用和TCK402G的电路的电池充电器检测
MOSFET驱动IC应用和TCK402G的电路
该参考设计提供了有关转换速率控制、自动放电和其他内置功能的技术信息，用于设计适用于USB-PD的负载开关电路。
详细信息
MOSFET（TPH1R306PL）应用电路的并联操作的器件和PCB印制线的寄生电感
MOSFET（TPH1R306PL）应用电路的并联操作
该参考设计提供了使用60V MOSFET并联运行以提高输出功率的仿真模型／电路和结果示例。
详细信息
MOSFET（TK62N60X）应用电路的并联操作的器件和PCB印制线的寄生电感
MOSFET（TK62N60X）应用电路的并联操作
该参考设计提供了使用600V MOSFET并联运行以提高输出功率的仿真模型／电路和结果示例。
详细信息
MOSFET4引脚封装TO-247-4L（TK25Z60X）应用电路的器件和PCB印制线的寄生电感
MOSFET4引脚封装TO-247-4L（TK25Z60X）应用电路
该参考设计提供了使用4引线MOSFET封装（TO-247-4L）最大限度提高开关性能和效率的示例电路，该封装可降低封装电感。
详细信息
MOSFET4引脚封装DFN8×8（TK25V60X）应用电路的器件和PCB印制线的寄生电感
MOSFET4引脚封装DFN8×8（TK25V60X）应用电路
该参考设计提供了使用4引脚MOSFET封装（DFN8×8）最大限度提高开关性能和效率的示例电路，该封装有助于降低封装电感。
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TPD7104AF的单输出高边N沟道功率MOSFET栅极驱动IC应用和电路的短路检测电路方框图
TPD7104AF的单输出高边N沟道功率MOSFET栅极驱动IC应用和电路
该参考设计提供了TPD7104AF的应用电路和仿真示例，该器件具有短路保护、电源反向连接保护等功能。
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1.6kW，80+白金级高效服务器AC-DC电源的特点
1.6kW，80+白金级高效服务器AC-DC电源
该参考设计提供了使用半无桥／隔离相移全桥的1.6kW 80+白金级电源的设计指南，数据和其他内容。
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车载用的3 kW 48 V-12 V双向DC-DC转换器
近年来，为了减少温室气体排放，xEV（混合动力汽车和电池驱动的电动汽车）越来越受欢迎。xEV内部除了12 V电池外，还可能配备48 V电池，以减少电力损耗。该设计是一种双向DC-DC转换器，适用于具有48 V电池和12 V电池的应用。它通过使用具有低导通电阻和高散热性的东芝汽车MOSFET，实现了高效率运行。该参考设计提供了电路各部分的设计技巧、操作方法以及电路图和PCB图案等设计信息，请在设计中使用它们。
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使用TB9103FTG的车载直流有刷电机控制电路
该参考设计提供了使用TB9103FTG的车载直流有刷电机控制电路可在半桥模式下控制两台电机，或在H桥模式下控制一台电机。可以使用板载开关或外部MCU控制电机的设计指南、数据和其他内容。
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用于USB PD的车载Buck-Boost DC-DC转换器
该参考设计提供了用于USB PD的车载Buck-Boost DC-DC转换器的设计指南、数据和其他内容。
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矩阵式LED头灯的电路板图片
矩阵式LED前照灯
本参考设计提供了LED矩阵前照灯的设计指南、数据和其他内容。它根据情况独立控制多个LED的照明。
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电磁炉逆变电路图
IH电磁炉逆变电路
该参考设计提供了基于电压谐振软开关的IH电磁炉逆变电路的设计指南、数据和其他内容。
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智能栅极驱动器耦合器TLP5214A逆变器应用的逆变器应用示例
智能栅极驱动器耦合器TLP5214A逆变器应用
该参考设计提供示例电路，内置功能的设计指南以及将TLP5214A应用于逆变器电路作为栅极驱动电路的热设计指南。
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PCB照片（示例）
1.6 kW服务器电源（升级版）
得益于东芝最新的功率器件和数字隔离器，这款1U尺寸、12 V输出的1.6 kW服务器电源在整个负载下实现了比使用相同电路拓扑的现有参考设计更高的效率。提供了电路设计和操作的设计文件和指南，可用作参考设计。
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多路复用器电路PCB照片示例
使用共漏极MOSFET的电源多路复用器电路
此参考设计中，在一个小型印刷电路板（PCB）上实现了具有2个输入和1个输出的电源多路复用器电路。我们现已在已开发的电源多路复用器电路参考设计中增加了使用共漏极MOSFET的应用电路。该参考电路通过将东芝多种产品线中的MOSFET栅极驱动IC和齐纳二极管等器件进行理想组合，可以实现BBM和MBB模式的切换。
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PCB图片（示例）
低功耗运算放大器TC75S102F的应用电路
适用于各种传感器的低功耗运算放大器TC75S102F的应用电路。这些应用电路可用于需要长电池寿命的设备、物联网传感器、能量收集系统等。
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1.6kW T型三电平PFC电源
1.6kW T型三电平PFC电源
本参考设计提供使用T型三电平功率因数校正（PFC） 电路的1.6kW AC-DC转换器电源的设计指南、数据等内容。
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电源多路复用器电路PCB照片示例
电源多路复用器电路
在此参考设计中，在一个小型印刷电路板（PCB）上实现了具有2个输入和1个输出的电源多路复用器电路。将从东芝的多种产品线选择的MOSFET栅极驱动电路IC、eFuse IC、齐纳二极管和小型封装MOSFET等器件进行组合，实现具有BBM和MBB开关的理想二极管。
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符合48V总线电压的1.2V／100A输出DC-DC转换器的特点
符合48V总线电压的1.2V／100A输出DC-DC转换器
该参考设计提供了1.2V／100A输出隔离式DC-DC转换器的规格，框图和PCB布局数据，该转换器将48V总线电压直接转换为1.2V。
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300W隔离式DC-DC转换器的特点
300W隔离式DC-DC转换器
介绍了电源的概述，设计参考文件，可以导入到EDA工具的电子文件，以及组成器件的概述
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单相PFC电源基础仿真电路的电路图
单相PFC电源基础仿真电路
可在OrCAD®上操作的仿真电路、设计参考文件、组成器件的概述
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交错式PFC电源基础仿真电路的电路图
交错式PFC电源基础仿真电路
可在OrCAD®上操作的仿真电路、设计参考文件、组成器件的概述
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无桥PFC电源基础仿真电路的电路图
无桥PFC电源基础仿真电路
可在OrCAD®上操作的仿真电路、设计参考文件、组成器件的概述
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负载开关IC TCK301G，TCK302G，TCK303G应用&电路 的快速充电电路的主开关
负载开关IC TCK301G，TCK302G，TCK303G应用&电路
该参考设计提供了具有低导通电阻和内置浪涌电流控制功能的负载开关的示例电路。 适合电池使用的应用。
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负载开关IC TCK321G，TCK322G，TCK323G应用&电路的电池充电器检测
负载开关IC TCK321G，TCK322G，TCK323G应用&电路
介绍了TCK321G、TCK322G和TCK323G的特性、充电电路的应用、设计参考文件、可以导入到EDA工具的电子文件、以及组成器件的概述
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1.6kW，80+白金级高效服务器AC-DC电源的特点
1.6kW，80+白金级高效服务器AC-DC电源
该参考设计提供了使用半无桥／隔离相移全桥的1.6kW 80+白金级电源的设计指南，数据和其他内容。
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