绝对最大额定值是一个标准,在运行期间及时是瞬间也不得超过。应该注意电路应设计在任何条件下都不偏离绝对最大额定值。如果超过额定值,特性可能无法恢复。
流过MOSFET的电流、施加的电压、消耗功率等的最大允许值定义为最大额定值。设计电路时,请注意供电电压的波动、电子元件特性的波动、电路调整时超过的最大额定值、环境温度的变化、输入信号的波动等,请避免超过其中一个额定值。请根据您的应用选择合适的器件。
即使在工作范围内,可靠性也会因绝对最大额定值和降额程度而有很大差异。
关于降额信息,请参阅以下链接目标。
(规定项目可能因产品而异。除非另有说明,否则Ta=25°C。)
项目 |
符号 |
单位 |
说明 |
|
---|---|---|---|---|
漏极-源极电压 | VDSS | V | 栅极和源极短路时漏极与源极之间允许的最大电压。 | |
栅极-源极电压 | VGSS | V | 漏极和源极短路时栅极与源极之间允许的最大电压。 | |
漏极电流 | 直流 | ID | A | 漏源允许的最大直流电流。 |
脉冲 | IDP | 脉冲操作中允许的漏极电流的最大峰值。 | ||
允许的损耗(Tc=25°C) | PD |
W |
MOSFET允许的最大功耗。 |
|
雪崩电流 | IAS | A | 雪崩状态下允许的最大峰值电流(非重复性)。 | |
雪崩能量 | EAS |
mJ |
雪崩击穿时的最大允许损耗能量(非重复性)。 |
|
结温 | Tch |
°C |
MOSFET工作允许的最高尖端温度。 |
|
储存温度 | Tstg |
°C |
在不向MOSFET施加电压的情况下可储存的最大温度值。 |
|
介电强度 | VISO(RMS) | V | 封装的指定外壳部分与电极端子之间的介电强度的最大值。 | |
紧固力矩 | TOR | N•m | 这是在拧紧螺丝时按转向旋转的最大力度值。 |
表1:绝对最大额定值示例
相关信息也可参考以下文档。