MOSFET数据表中列出的最大额定值是多少？

绝对最大额定值是一个标准，在运行期间及时是瞬间也不得超过。应该注意电路应设计在任何条件下都不偏离绝对最大额定值。如果超过额定值，特性可能无法恢复。

流过MOSFET的电流、施加的电压、消耗功率等的最大允许值定义为最大额定值。设计电路时，请注意供电电压的波动、电子元件特性的波动、电路调整时超过的最大额定值、环境温度的变化、输入信号的波动等，请避免超过其中一个额定值。请根据您的应用选择合适的器件。

即使在工作范围内，可靠性也会因绝对最大额定值和降额程度而有很大差异。
关于降额信息，请参阅以下链接目标。

（规定项目可能因产品而异。除非另有说明，否则Ta＝25°C。）

项目

符号

单位

说明
漏极-源极电压 VDSS V 栅极和源极短路时漏极与源极之间允许的最大电压。
栅极-源极电压 VGSS V 漏极和源极短路时栅极与源极之间允许的最大电压。
漏极电流 直流 ID A 漏源允许的最大直流电流。
脉冲 IDP 脉冲操作中允许的漏极电流的最大峰值。
允许的损耗（Tc＝25°C）

PD

W

MOSFET允许的最大功耗。
雪崩电流 IAS A 雪崩状态下允许的最大峰值电流（非重复性）。
雪崩能量

EAS

mJ

雪崩击穿时的最大允许损耗能量（非重复性）。
结温

Tch

°C

MOSFET工作允许的最高尖端温度。
储存温度

Tstg

°C

在不向MOSFET施加电压的情况下可储存的最大温度值。
介电强度 VISO(RMS) V 封装的指定外壳部分与电极端子之间的介电强度的最大值。
紧固力矩 TOR N•m 这是在拧紧螺丝时按转向旋转的最大力度值。

表1：绝对最大额定值示例

相关信息也可参考以下文档。

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