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600 V超结结构N沟道功率MOSFET DTMOSⅥ系列“TK024N60Z1”提高了电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出一款N沟道功率MOSFET“TK024N60Z1”。该产品利用了DTMOSⅥ 600 V系列的工艺，并且具有超结结构。该器件适用于数据中心的服务器、工业设备的开关电源（SMPS）以及光电发生器的功率调节器。
近年来，为了提高电源电路的效率，对低导通电阻产品的需求不断增加。为满足这种需求，东芝专门开发了该产品。TK024N60Z1实现了0.024 Ω（最大值）的漏源导通电阻，成为DTMOSⅥ 600 V系列中导通电阻最低的产品[1]，并降低了导通损耗。这提高了电源效率，减少了热量的产生。
此外，该产品采用TO-247封装，可实现多重散热，且散热性能高。
通过优化栅极设计和工艺，DTMOSⅥ 600 V系列（包括新产品），与东芝传统DTMOSIV-H系列产品相比，在相同额定漏源电压时，单位面积的漏源导通电阻值降低了约13 %，漏源导通电阻和栅漏电荷的乘积（MOSFET性能的品质因数）降低了约52 %。此外，东芝还提供各种工具，用于支持开关电源（SMPS）的电路设计。除了可以在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供可以准确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
东芝将继续扩大DTMOSⅥ系列产品线，并通过降低开关电源（SMPS）的功率损耗来支持节能。
注：
[1]截止2025年1月的东芝调研。
特点
- DTMOSⅥ系列的最小导通电阻（0.024 Ω（最大值）（VGS＝10 V））
- 低RDS(ON)×Qgd（漏源导通电阻和栅漏电荷的乘积）支持开关电源（SMPS）的高效率
特性说明
1.DTMOSⅥ系列的最小导通电阻（0.024 Ω（最大值） （VGS＝10 V））
在DTMOSⅥ系列中，TK024N60Z1实现了最低的导通电阻（0.024 Ω（最大值）（VGS＝10 V））， 将导通损耗最小化，从而帮助提高电源效率。
电源电路示例
2.低RDS(ON)×Qgd（漏源导通电阻和栅漏电荷的乘积）以及开关电源（SMPS）的高效率
通过优化栅极设计和工艺，DTMOSⅥ 600 V系列（包括新产品），与东芝传统DTMOSIV-H系列产品相比，在相同额定漏源电压时，单位面积的漏源导通电阻值降低了约13 %，漏源导通电阻和栅漏电荷的乘积（MOSFET性能的品质因数）降低了约52 %。
这意味着DTMOSⅥ系列在导通损耗与开关损耗之间实现了更佳的权衡，有助于提高开关电源（SMPS）的效率。
漏源导通电阻和栅漏电荷的乘积RDS(ON)×Qgd特性曲线[2]
![RDS(ON)×Qgd特性曲线[2]](/content/dam/toshiba-ss-v3/master/en/semiconductor/product/mosfets/articles/600v-super-junction-structure-n-channel-power-mosfet-dtmos6-series-tk024n60z1-improves-efficiency-of-power-supply_features_4_en.png)
注：
[2]上述数值均由东芝测量。
应用
- 开关电源（数据中心服务器等）
- 光电发生器的功率调节器
- 不间断电源（UPS）
主要规格
（在Ta＝25 °C条件下，除非另有规定）
器件型号 |
||||
|---|---|---|---|---|
封装 |
名称 |
|||
尺寸（mm） |
典型值 | 15.94×20.95×5.02 |
||
绝对 最大 额定值 |
漏源电压VDSS（V） |
600 |
||
漏极电流（DC）ID（A） |
80 |
|||
结温Tch（°C） |
150 |
|||
电气 特性 |
漏源导通电阻 RDS(ON)（Ω） |
VGS＝10 V | 最大值 | 0.024 |
栅极电荷总量Qg（nC） |
典型值 | 140 |
||
栅漏电荷Qgd（nC） |
典型值 | 37 |
||
输入电容Ciss（pF） |
典型值 | 8420 |
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库存查询与购买 |
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相关链接
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TK024N60Z1
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MOSFET
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| 器件型号 | Authorized Distributor | Stock Quantity | Date | Shopping Cart |
|---|
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