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MOSFET与IGBT之间有何区别？
晶体管主要分为三类：双极晶体管、MOSFET和IGBT。下表比较了这些晶体管的性能和特性。由于需要驱动电路和保护电路以及缓慢的开关速度，双极晶体管现在几乎从未用于电力电子和开关应用。取而代之的是，根据所需特性有选择地使用MOSFET和IGBT。旁边给出的图显示了30A IGBT和31A超级结型MOSFET（SJMOS）的导通电压特性。
在低电流区域中，MOSFET的导通电压低于IGBT。但在高电流区域中，IGBT的导通电压则低于MOSFET，特别是在高温条件下。IGBT通常以低于20kHz的开关频率使用，因为其开关损耗大于单极MOSFET。
不同类型晶体管的性能比较
| 类型 | 双极晶体管 | MOSFET | IGBT |
|---|---|---|---|
| 栅极（基极）驱动 | 电流驱动 （低输入阻抗） |
电压驱动 （高输入阻抗） |
电压驱动 （高输入阻抗） |
| 栅极（基极）驱动电路 | 复杂的开关应用 | 相对比较简单 | 相对比较简单 |
| 导通电压特性 | 低VCE(sat) | 导通电阻×漏极电流 无内置电压(*1) |
低VCE(sat) 有内置电压(*1) |
| 开关时间 | 慢 （载流子积累效应） |
超高速 （单极器件） |
高速 （速度高于双极晶体管，但低于MOSFET） |
| 寄生二极管 | 不存在 | 存在（体二极管） | 仅存在于RC-IGBT中 |
(*1)内置电压是器件固有的阈值电压。这里的内置电压是指正向阈值电压。