MOSFET与IGBT之间有何区别?

正向特性比较:IGBT与MOSFET
正向特性比较:IGBT与MOSFET

晶体管主要分为三类:双极晶体管、MOSFET和IGBT。下表比较了这些晶体管的性能和特性。由于需要驱动电路和保护电路以及缓慢的开关速度,双极晶体管现在几乎从未用于电力电子和开关应用。取而代之的是,根据所需特性有选择地使用MOSFET和IGBT。旁边给出的图显示了30A IGBT和31A超级结型MOSFET(SJMOS)的导通电压特性。

在低电流区域中,MOSFET的导通电压低于IGBT。但在高电流区域中,IGBT的导通电压则低于MOSFET,特别是在高温条件下。IGBT通常以低于20kHz的开关频率使用,因为其开关损耗大于单极MOSFET。

不同类型晶体管的性能比较

不同类型晶体管的性能比较
类型 双极晶体管 MOSFET IGBT
栅极(基极)驱动

电流驱动

(低输入阻抗)

电压驱动

(高输入阻抗)

电压驱动

(高输入阻抗)

栅极(基极)驱动电路 复杂的开关应用 相对比较简单 相对比较简单
导通电压特性 低VCE(sat)

导通电阻×漏极电流

无内置电压(*1)

低VCE(sat)

有内置电压(*1)

开关时间

(载流子积累效应)

超高速

(单极器件)

高速

(速度高于双极晶体管,但低于MOSFET)

寄生二极管 不存在 存在(体二极管) 仅存在于RC-IGBT中

(*1)内置电压是器件固有的阈值电压。这里的内置电压是指正向阈值电压。

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