什么是IGBT？

IGBT的全称为绝缘栅双极晶体管。图（a）显示了IGBT的符号。这是一种结合了MOS作为输入，双极晶体管作为输出的功率晶体管。图（b）显示了IGBT结构的示例。在MOSFET的漏极侧形成了一个P区。当导通时从P区注入空穴内时，高电阻N漂移层的电阻率降低。这种现象称为电导率调制。因此，IGBT是一种即使在高击穿电压下也具有低导通电压的开关晶体管。

尽管其内部等效电路很复杂，但可简化为一个由具有可变导通电阻的N沟道MOSFET和一个二极管串联组成，如图（c）所示。

IGBT是一种适合高电压、大电流应用的理想晶体管。IGBT的额定电压范围为400V至2000V，额定电流范围为5A至1000A^(*1)，IGBT广泛用于工业应用（例如，逆变器系统和不间断电源（UPS））、消费类应用（例如，空调和电磁炉），以及车载应用（例如，电动汽车（EV）电机控制器）。

^(*1) 最高电压6kV和最大电流4500A的IGBT也可用于铁路、高压直流（HVDC）传输和其它大型应用。