采用有助于提高电源效率的新工艺，80V N沟道功率MOSFET的产品线扩展：TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、TK5R3E08QM、TK7R0E08QM、TK2R4A08QM、TK3R2A08QM、TK5R1A08QM、TK6R8A08QM、TK5R1P08QM、TK6R9P08QM
产品新闻2021年3月
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了10款适用于工业设备开关电源的新一代80 V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用绝缘型直插式封装TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用贴片式封装DPAK。
新产品采用新一代具有低压沟槽结构的U-MOSⅩ-H工艺，具有业内领先的[1]低漏源导通电阻。这减少了导通损耗，有助于降低设备的功耗。此外，它们继承了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷[2]的值（开关应用的品质因数）。
注：
[1] 相对于具有相同评级的产品，截至2021年2月东芝的调查。
[2] 与TK100E08N1（U-MOSVIII-H系列）相比，TK2R4E08QM的“典型漏源导通电阻×典型栅极开关电荷”降低了8%左右。
特性
- 业内最低等级[1]的导通电阻：
RDS(ON)＝2.44mΩ（最大值 ）＠VGS＝10V（TK2R4E08QM） - 低电荷（输出和栅极开关）
- 低栅极电压驱动（6V驱动）
应用
- 工业设备的开关电源
（高效AC-DC转换器、高效DC-DC转换器等） - 电机控制设备（电机驱动器等）
产品规格
（除非另有规定，@Ta=25 °C）
| 器件型号 | 绝对最大额定值 |
RDS(ON)最大值 |
总栅极电荷 Qg典型值 （nC） |
QSW典型值 |
输出电荷 Qoss典型值 （nC） |
输入电容 Ciss典型值 （pF） |
封装 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VDSS（V） |
漏极电流（DC） ID（A） |
||||||||
| @Tc＝25°C | @VGS＝10V | @VGS＝6V | |||||||
| TK2R4E08QM | 80 | 120 | 2.44 | 3.2 | 178 | 52 | 210 | 13000 | TO-220 |
| TK3R3E08QM | 120 | 3.3 | 4.2 | 110 | 31 | 119 | 7670 | ||
| TK5R3E08QM | 120 | 5.3 | 7.3 | 55 | 17 | 66 | 3980 | ||
| TK7R0E08QM | 64 | 7.0 | 9.7 | 39 | 11.6 | 46 | 2700 | ||
| TK2R4A08QM | 100 | 2.44 | 3.1 | 179 | 54 | 210 | 13000 | TO-220SIS | |
| TK3R2A08QM | 92 | 3.2 | 4.1 | 102 | 31 | 119 | 7670 | ||
| TK5R1A08QM | 70 | 5.1 | 4.1 | 54 | 17 | 66 | 3980 | ||
| TK6R8A08QM | 58 | 6.8 | 9.5 | 39 | 13 | 46 | 2700 | ||
| TK5R1P08QM | 84 | 5.1 | 7.0 | 56 | 17 | 66 | 3980 | DPAK | |
| TK6R9P08QM | 62 | 6.9 | 9.6 | 39 | 11.6 | 46 | 2700 | ||
内部电路
应用电路示例
注：本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
* 本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。
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