小型MOSFET可降低电池驱动器件的功耗并延长其工作时间

2024年10月产品新闻

The package photograph of small MOSFETs bring lower power consumption and longer operating times to battery-driven devices.

东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现针对便携式设备和物联网设备（如可穿戴设备和平板电脑），推出了低栅极泄漏电流和低漏极截止电流的小型MOSFET。

东芝现有MOSFET产品的漏极截止电流为1 μA（最大值）[1]，而新型MOSFET产品将漏极截止电流显著降低至60 nA（最大值）[2]。因此，当MOSFET处于导通状态（VGS＝5 V）时[1]，新型MOSFET产品可保证栅极电压条件下的栅极泄漏电流为50 nA（最大值）。由于这些特性，新型MOSFET产品不仅适用于需要通过高密度半导体器件设计来减少总能量消耗的应用，还适用于由电池供电的便携式设备。新产品明显有助于设备节能和延长电池的使用寿命。

新产品细分为6个系列、29个型号：30 V和20 V规格的N沟道MOSFET有4个系列，-20 V规格的P沟道MOSFET有2个系列。东芝可提供各种小型贴片封装，以满足客户的不同需求。

注：
[1]SSM3K15A系列
[2]SSM3K79系列

应用

  • 智能手机
  • 可穿戴设备（辅听耳机）
  • 物联网设备
  • 笔记本电脑
  • 平板电脑等

特点

（SSM3K79系列）

  • 低漏极截止电流：IDSS＝60 nA（最大值）（VDS＝30 V）
  • 低栅极泄漏电流：IGSS＝50 nA（最大值）（VGS＝±5 V）

主要规格

（在Ta＝25  °C条件下，除非另有规定）

器件型号

 极性 封装

绝对最大额定值

电气特性
名称

尺寸（mm）

漏极-
源极
电压
VDSS
（V）

栅极-
源极
电压
VGSS
（V）

漏极电流
（DC）
ID
（A）


漏极截止电流
IDSS
（nA）


栅极泄漏电流
IGSS
（nA）


漏源导通电阻
RDS(ON)
（Ω）

VDS
＝最大值

VGS
＝±5 V

❘VGS❘＝
4 V

❘VGS❘＝
4.5 V
典型值 最大值 最大值 最大值 最大值
SSM3K79CTC

N沟道

 CST3C 0.8×0.6

30

±20

0.1

 60 ±50

3.6

-
SSM3K79CT CST3 1.0×0.6
SSM3K79MFV VESM 1.2×1.2
SSM3K79FS SSM 1.6×1.6
SSM3K79FU USM 2.1×2.0
SSM6N79FE ES6 1.6×1.6
SSM6N79FU US6 2.1×2.0
SSM3K78CTC

N沟道

 CST3C 0.8×0.6

20

±10

0.25

 80 ±80

-

1.1
SSM3K78MFV VESM 1.2×1.2
SSM3K78FS SSM 1.6×1.6
SSM6N78FE ES6 1.6×1.6
SSM6N78FU US6 2.1×2.0
SSM3K77CT

N沟道

 CST3 1.0×0.6

20

±10

0.2

 80 ±80

-

2.2
SSM3K77MFV VESM 1.2×1.2
SSM3K77FS SSM 1.6×1.6
SSM6N77FE ES6 1.6×1.6
SSM6N77FU US6 2.1×2.0
SSM3K76CT

N沟道

 CST3 1.0×0.6

20

±8

0.8

 200 ±200

-

0.235
SSM3K76MFV VESM 1.2×1.2
SSM3K76FS SSM 1.6×1.6
SSM6N76FE ES6 1.6×1.6
SSM3J78CTC

P沟道

 CST3C 0.8×0.6

-20

±10

-0.25

 80 ±80

-

1.4
SSM3J78MFV VESM 1.2×1.2
SSM3J78FS SSM 1.6×1.6
SSM6P78FE ES6 1.6×1.6
SSM6P78FU US6 2.1×2.0
SSM3J76CT

P沟道

 CST3 1.0×0.6

-20

±8

-0.8

 80 ±80

-

0.39
SSM3J76MFV VESM 1.2×1.2
SSM6P76FE ES6 1.6×1.6

引脚分布

小型MOSFET为电池驱动器件带来了更低的功耗和更长的工作时间。
小型MOSFET为电池驱动器件带来了更低的功耗和更长的工作时间。

应用电路示例

小型MOSFET为电池驱动器件带来了更低的功耗和更长的工作时间。

注：
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。

*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
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