2024年10月产品新闻
东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)最近推出的六款新产品均采用新一代“U-MOSⅩ-H系列”工艺,拓展了150 V N沟道功率MOSFET产品线。该系列产品适用于数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品的封装方式为三引脚直插式:“TK4R9E15Q5、TK7R2E15Q5和TK9R6E15Q5”型号产品采用TO-220封装,“TK5R0A15Q5、TK7R4A15Q5和TK9R7A15Q5”型号产品采用TO-220SIS封装。
新产品采用U-MOSⅩ-H工艺,实现低漏源导通电阻。特别是,TK4R9E15Q5型产品的漏源导通电阻极低,最大值仅为4.9 mΩ。此外,新产品采用高速二极管(HSD),通过减少反向恢复电荷和加快反向恢复时间,改善了对同步整流应用非常重要的反向恢复特性[1]。新产品用于同步整流应用,可降低开关电源的功率损耗并有助于提高效率。
第一款产品TPH9R00CQ5[2]采用了HSD,与未采用HSD的东芝现有产品TPH9R00CQH[2]相比,TPH9R00CQ5型产品的反向恢复电荷减少了约74%,反向恢复时间加快了约44%。除了贴片式封装,采用这种HSD的U-MOSⅩ-H工艺还应用于直插式封装。
新产品降低了MOSFET开关时漏极与源极之间产生的漏源尖峰电压[3],有助于减少开关电源内的电磁干扰(EMI)。
东芝将继续促进其功率MOSFET产品线的拓展,帮助提高电源效率,实现降低设备能耗这一终极目标。
注:
[1]MOSFET体二极管从正向偏置切换至反向偏置的开关动作
[2]SOP Advance/SOP Advance(N)封装产品
[3]用于反向恢复模式的电路时
(除非另有规定,Ta=25 °C)
器件型号 | 绝对最大额定值 | 电气特性 | 封装 | ||||||||
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漏极- 源极 电压 VDSS (V) |
漏极 电流 (DC) ID (A) |
结温 Tch (°C) |
漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ) |
栅极电荷总量 Qg (nC) |
输入电容 Ciss(pF) |
栅极电阻rg (Ω) |
反向恢复时间 trr (ns) |
反向恢复电荷 Qrr (nC) |
|||
VGS=10 V | VGS=8 V | -dIDR/dt=100 A/μs | |||||||||
Tc=25 °C | 最大值 | 最大值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | ||||
TK4R9E15Q5 | 150 | 120 | 175 | 4.9 | 5.9 | 96 | 7820 | 1.9 | 50 | 50 | TO-220 |
TK7R2E15Q5 | 84 | 7.2 | 8.7 | 66 | 4970 | 1.7 | 44 | 42 | |||
TK9R6E15Q5 | 52 | 9.6 | 11.5 | 50 | 3690 | 1.6 | 40 | 32 | |||
TK5R0A15Q5 | 76 | 5 | 6 | 96 | 7820 | 1.9 | 52 | 55 | TO-220SIS | ||
TK7R4A15Q5 | 57 | 7.4 | 8.8 | 66 | 4970 | 1.7 | 44 | 40 | |||
TK9R7A15Q5 | 49 | 9.7 | 11.6 | 50 | 3690 | 1.5 | 40 | 32 |
注:
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。
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