SiC MOSFET模块

采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体在高速开关性能方面优于目前占据主流的硅（Si）功率半导体（IGBT），以及在高温环境中使用的硅（Si）功率半导体。我们满足了工业应用设备（如轨道车辆用逆变器和转换器以及光伏逆变器）对于更高额定电压和更大电流容量的需求。并且，我们提供最适合低损耗和小型化应用的器件。

技术文章

MG800FXF2YMS3（3300 V/800 A 2in1）

新产品采用具有高度安装兼容性的iXPLV（智能软包装低压）封装，满足了轨道车辆逆变器和转换器以及可再生能源发电系统等工业应用对于高效紧凑型设备的需求。

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MG250YD2YMS3（2200 V／250 A 2in1）

新模块与广泛使用的硅 (Si) IGBT 模块具有安装兼容性。它们的低损耗特性满足了工业设备（例如光伏发电系统和储能系统）对更高效率和减小尺寸的需求。

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MG400V2YMS3（1700 V/400 A 2in1）

新模块与广泛使用的硅（Si）IGBT 模块具有安装兼容性。它们的低损耗特性有助于轨道车辆的转换器和逆变器，以及可再生能源发电系统等工业设备的更高效率和小型化。  

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MG600Q2YMS3（1200 V/600 A 2in1）

新模块与广泛使用的硅（Si）IGBT模块具有安装兼容性。 它们的低损耗特性有助于工业转换器和逆变器，以及可再生能源发电系统等工业设备的更高效率和小型化。

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MOSFET / SiC MOSFET模块

SiC MOSFET模块的特点
我们的SiC MOSFET模块实现了高可靠性，宽栅极-源极电压和高栅极阈值电压。 另外，高耐热性和低电感封装充分发挥了SiC的性能。

MOSFET / SiC MOSFET模块

东芝SiC MOSFET模块的优点
与IGBT模块相比，SiC MOSFET模块的低损耗特性可以降低总损耗（开关损耗+导通损耗）。高速开关和低损耗操作还有助于减小滤波器、变压器和散热器的尺寸，实现了紧凑、轻便的系统。

文档

名称 日期

应用

大型太阳能逆变器
在设计大型太阳能逆变器时，高效率和小型化等非常重要。东芝提供了适用于逆变器电路单元、栅极驱动电路单元、信号传输单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。
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参考设计

This is a picture of Gate Drive for SiC MOSFET Module.
SiC MOSFET模块的栅极驱动电路
该参考设计提供了用于驱动工业电机驱动器等功率转换设备中使用的SiC MOSFET模块的栅极。它可以通过使用外部缓冲MOSFET，以大电流驱动SiC MOSFET模块的栅极。
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