MOS对静电敏感。如何防止MOSFET受静电影响?

本节介绍如何通过在MOSFET的栅极和源极之间插入ESD保护器来防止静电破坏栅极氧化层。

图1:MOSFET的横截面和等效齐纳二极管
图1:MOSFET的横截面和等效齐纳二极管

如果在电路板安装等过程中静电施加到栅极,栅极氧化层可能会遭破坏。在这种情况下,可以通过在栅极与源极端子之间插入ESD保护二极管来保护MOSFET。部分产品采用此措施。它可以在短时间内吸收较大的过电压(浪涌),并且不会将超过一定电压的电压施加与其它半导体产品上。
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另外,作为安装过程中的对策,请务必将使用的设施和工具(测试设备、工作台、地垫、工具、烙铁等)接地,并防止静电积聚。 人员应穿防静电服、鞋,并用腕带等接地。

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