双极结型晶体管（BJT）的基极电流和集电极电流之间有什么关系？

例如：2SC2712的h_FE规格如表１所示。
为了实现该规格，双极结型晶体管（BJT）使得发射极（E）的杂质浓度>>基极（B）的杂质浓度>集电极（C）的杂质浓度，并且使基极的宽度更小。因此，在有源区的电压条件下（B与E之间正向偏置，B与C之间反向偏置），B与E之间的结被导通，高密度E的载流子流入B。载流子流入量由B与E之间的电压（基极电流）降低的势垒高度决定。此外，由于流入的载流子的基极厚度小，它们在没有与基极中的载流子复合的情况下流入集电极，从而实现高h_FE。

实际上，即使在上述有源区域内，h_FE也不是恒定的，它随着B与C之间反向偏置的增加而增加。这是因为，随着B与C之间反向偏置的增加，B与B之间的耗尽层扩大，有效基极变窄。这被称为早期效应（基极宽度调制）。
此外，在饱和区域，当B和C都呈正向偏置时，h_FE减小。在该区域，B和E以及B和C都处于正向偏置状态，所以它们表现得像电阻而不是上述晶体管行为。这时，过量的载流子停留在集电极中。这些过量的载流子降低了杂质浓度较低的集电极层的电阻，从而降低了C与E之间的饱和电压 V_CE(sat)。这就是导电调制效应。然而，由于这些过量载流子的存在，在从导通状态转换到关断状态时需要一定的时间（积累时间）。
如图2所示，h_FE受到环境温度的影响。