东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装
2023年8月31日
东芝电子元件及存储装置株式会社
中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第三代SiC MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。
新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。
使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计已在东芝官网发布。
东芝将继续扩大自身产品线，进一步契合市场趋势，并助力用户提高设备效率，扩大功率容量。
注：
[1]截至2023年8月
[2]截至2023年8月，东芝测量值（测量条件：VDD＝800V、VGG＝＋18V／0V、ID＝20A、RG＝4.7Ω、L＝100μH、Ta＝25℃）
使用新型SiC MOSFET的3相逆变器
应用
- 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
- 电动汽车充电站
- 光伏变频器
- 不间断电源（UPS）
特性
- 4引脚TO-247-4L(X)封装：:
栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，可降低开关损耗 - 第3代碳化硅MOSFET
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷
- 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25℃）
| 器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特性 | 库存查询与购买 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
漏源电压VDSS（V） |
栅源电压VGSS（V） | 漏极电流（DC） ID（A） |
漏源导通电阻RDS(ON)（mΩ） | 栅极阈值电压Vth (V) | 总栅极电荷Qg（nC） | 栅漏电荷Qgd（nC） | 输入电容 Ciss（pF） |
二极管正向电压VDSF（V） | ||||
| Tc＝25°C | VGS＝18V | VDS＝10V | VGS＝18V | VGS＝18V | t典型值 | 测量条件VDS（V） | VGS＝-5V | |||||
| 典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | |||||||||
| TW015Z120C | TO-247 -4L(X) |
1200 | -10至25 | 100 | 15 | 3.0至5.0 | 158 | 23 | 6000 | 800 | -1.35 |  |
| TW030Z120C | 60 | 30 | 82 | 13 | 2925 | |
||||||
| TW045Z120C | 40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 | |
||||||
| TW060Z120C | 36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 | |
||||||
| TW140Z120C | 20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 | |
||||||
| TW015Z65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 19 | 4850 | 400 | |
||||
| TW027Z65C | 58 | 27 | 65 | 10 | 2288 | |
||||||
| TW048Z65C | 40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 | |
||||||
| TW083Z65C | 30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 | |
||||||
| TW107Z65C | 20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 | |
||||||
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