SiC肖特基势垒二极管（SBD）的温度特性是什么？

图1显示了碳化硅（SiC）SBD正向电压的每个温度的I_F-V_F曲线示例。在I_F较小的区域内，正向电压（V_F）随温度升高而降低；如为Si二极管（图2），当电流较大时，正向电压随温度升高而升高。

这种变化是由半导体电阻元件的热阻变化引起的。

具体涉及两个因素：（1）电子通过晶格振动扩散；及（2）激励至供体电子的导带。

SiC等宽带隙半导体具有较强的键合力，晶格振动的影响比硅大。此外，由于带隙很大，因此供体比Si更难激励。图中所示的特性表明了这些情况。对于硅二极管，温度系数在超过额定电流的大电流时发生反转。

因此，当Si二极管并联时，可能发生热失控。在SiC SBD中，并联连接相对较为容易。