我们60V N沟道功率MOSFET U-MOSIX-H系列中有助于降低电源EMI的低峰值产品：TPH1R306P1
产品新闻2018年4月
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“TPH1R306P1”是我们60V N沟道功率MOSFET U-MOSIX-H系列的新产品，适用于电源。
新产品使用SOP Advance贴片式封装，扩大了该产品线。它是采用具有低电压沟槽结构的最新工艺U-MOSIX-H制造而成的低峰值产品。这款新产品能够保持开关操作时漏极和源极之间所产生的低峰值电压，所以适用于要求低EMI的开关电源二次侧的同步整流。
低峰值产品和高效产品均被列入了U-MOSIX-H系列，所以用户可以选择适合其应用的产品。
特点
- 内业最低水平的导通电阻[1]
RDS（ON）=1.28mΩ（最大值）@VGS=10V - 低峰值
- 允许4.5V逻辑电平驱动
注：
[1] 截止于2018年3月东芝电子元件及存储装置株式会社的调查。
应用
- 各种电源
（高效DC-DC转换器、高效AC-DC转换器、开关电源等） - 电机控制设备
（电机驱动等）
产品规格
（除非另有规定，@Ta=25°C）
| 器件型号 | 最大绝对 额定值 |
漏极-源极 导通电阻 RDS（ON）最大值 （mΩ） |
总栅 极电荷 Qg 典型值 （nC） |
输出 电荷 Qoss 典型值 （nC） |
输入电容 Ciss 典型值 （pF） |
栅极 电阻 rg 典型值 （Ω） |
封装 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏极- 源极 电压 VDSS （V） |
漏极 电流 （DC） ID @TC=25°C （A） |
@VGS =10V |
@VGS =4.5V |
||||||
| TPH1R306P1 | 60 | 100 | 1.28 | 2.3 | 91 | 77.5 | 6250 | 2.2 | SOP Advance |
内部电路
应用电路示例
本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。东芝电子元件及存储装置株式会社提供这些应用电路实例并不表示提供了任何的工业产权许可。
本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。
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