有助于降低电源功耗的U-MOSX-H系列150 V N沟道功率MOSFET的产品线扩展
2024年4月产品新闻
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出两款150 V N沟道功率MOSFET产品，进一步拓展了该系列产品线。这两款产品均采用新一代“U-MOSX-H系列”工艺，适用于工业设备的开关电源，可用于数据中心和通信基站。新产品采用表贴式SOP Advance(N)封装，“TPH1100CQ5”和“TPH1400CQ5”产品的漏源导通电阻（最大值）分别为11.1 mΩ和14.1 mΩ。
新产品TPH1100CQ5和TPH1400CQ5改善了反向恢复[1]特性，该特性在同步整流应用中具有至关重要的作用。相较于东芝的现有产品TPH1400CQH[2]，TPH1400CQ5产品的反向恢复电荷减少了约73%，反向恢复时间快了约45%。TPH1400CQ5用于同步整流应用[3]，可降低开关电源的功率损耗并有助于提高效率。
新产品降低了MOSFET开关时漏极与源极之间产生的漏源尖峰电压[4]，有助降低开关电源中的电磁干扰（EMI）。
东芝将继续扩大产品线以帮助降低设备能耗。
注：
[1]MOSFET体二极管从正向偏置切换至反向偏置的开关动作。
[2]采用TPH1400CQ5同代工艺并且电压和导通电阻相同的产品。
[3] 如果TPH1400CQ5用于在反向恢复模式下不工作的电路中，则功率损耗与TPH1400CQH相当。
[4]用于反向恢复模式的电路时。
应用
- 开关电源（高效AC-DC转换器、高效DC-DC转换器等）
- 电机控制设备（电机驱动器等）
特性
- 反向恢复电荷低：
TPH1100CQ5 Qrr＝32 nC（典型值） （-dIDR/dt＝100 A/μs）
TPH1400CQ5 Qrr＝27 nC（典型值） （-dIDR/dt＝100 A/μs） - 反向恢复时间短：
TPH1100CQ5 trr＝38 ns（典型值）（-dIDR/dt＝100 A/μs）
TPH1400CQ5 trr＝36 ns（典型值）（-dIDR/dt＝100 A/μs） - 高结温额定值：Tch（最大值）＝175 °C
主要规格
（除非另有规定，Ta＝25 °C）
| 器件型号 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 绝对最大额定值 | 漏极-源极电压VDSS（V） | 150 |
|||
| 漏极电流（DC）ID（A） | Tc＝25 °C | 49 |
32 |
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| 结温Tch（°C） | 175 |
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| 电气特性 |
漏极-源极导通电阻 RDS(ON) （mΩ） | VGS＝10 V | 最大值 | 11.1 |
14.1 |
| VGS＝8 V | 最大值 | 13.6 |
17.3 |
||
| 总栅极电荷Qg（nC） | 典型值 | 38 |
31 |
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| 输入电容Ciss（pF） | 典型值 | 2830 |
2400 |
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| 栅极电阻rg（Ω） | 典型值 | 1.5 |
1.2 |
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| 反向恢复时间trr（ns） | -dIDR/dt＝ 100 A/μs |
典型值 | 38 |
36 |
|
| 反向恢复电荷Qrr（nC） | 典型值 | 32 |
27 |
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| 封装 | SOP Advance(N) |
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内部电路
应用电路示例
注：
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
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