IGBT有哪些结构?

IGBT的常见结构包括:(a)穿通型(PT);(b)非穿通型(NPT);及(c)薄晶圆穿通型,亦称为场截止型(FS)。

(d)反向导通IGBT(RC-IGBT)是IGBT家族的最新成员;其中,FS IGBT的集电极P区的一部分被N区所取代,并且续流二极管像MOSFET一样集成。下表显示了各代IGBT及其结构。

  • PT IGBT
    自从IGBT问世以来,一直使用PT结构。集电极侧的P层很厚,低电流区的正向电压很高。
  • NPT IGBT
    PT IGBT之后出现了NPT IGBT。NPN IGBT具有很强的耐久性,可用于硬开关和其它逆变器应用
  • 薄型PT IGBT
    薄型PT是最新的IGBT结构之一,使用薄晶圆技术来改善正向电压降和开关速度之间的平衡性。凭借由于低损耗,薄型PT IGBT被广泛使用。
  • RC-IGBT
    RC-IGBT使用最新的薄晶圆技术,并集成了一个快速恢复二极管(FRD)。RC-IGBT可用于电压谐振和其它应用。
(a)PT IGBT
(a)PT IGBT
(b)NPT IGBT(NPT:非穿通型)
(b)NPT IGBT(NPT:非穿通型)
(c)薄型PT IGBT(FS-IGBT)
(c)薄型PT IGBT(FS-IGBT)
(d)RC-IGBT
(d)RC-IGBT
在新窗口打开