IGBT有哪些结构？

IGBT的常见结构包括：（a）穿通型（PT）；（b）非穿通型（NPT）；及（c）薄晶圆穿通型，亦称为场截止型（FS）。

（d）反向导通IGBT（RC-IGBT）是IGBT家族的最新成员；其中，FS IGBT的集电极P区的一部分被N区所取代，并且续流二极管像MOSFET一样集成。下表显示了各代IGBT及其结构。

  • PT IGBT
    自从IGBT问世以来，一直使用PT结构。集电极侧的P层很厚，低电流区的正向电压很高。
  • NPT IGBT
    PT IGBT之后出现了NPT IGBT。NPN IGBT具有很强的耐久性，可用于硬开关和其它逆变器应用
  • 薄型PT IGBT
    薄型PT是最新的IGBT结构之一，使用薄晶圆技术来改善正向电压降和开关速度之间的平衡性。凭借由于低损耗，薄型PT IGBT被广泛使用。
  • RC-IGBT
    RC-IGBT使用最新的薄晶圆技术，并集成了一个快速恢复二极管（FRD）。RC-IGBT可用于电压谐振和其它应用。
（a）PT IGBT
（a）PT IGBT
（b）NPT IGBT（NPT：非穿通型）
（b）NPT IGBT（NPT：非穿通型）
（c）薄型PT IGBT（FS-IGBT）
（c）薄型PT IGBT（FS-IGBT）
（d）RC-IGBT
（d）RC-IGBT

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