东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管，助力提高工业设备效率
2023年7月13日
东芝电子元件及存储装置株式会社
中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始支持批量出货。
新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属，优化了第2代产品的结势垒肖特基（JBS）结构[2]。它们实现业界领先[3]的1.2V（典型值）低正向电压，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新产品还在正向电压与总电容电荷之间以及正向电压与反向电流之间取得了平衡，从而在降低了功耗的同时提高了设备效率。
注：
[1]截至2023年7月。
[2]JBS结构可降低肖特基界面处的电场，从而减小了漏电流。
[3]截至2023年7月的东芝调查。
应用
- 开关电源
- 电动汽车充电桩
- 光伏逆变器
特性
- 业界领先[3]的低正向电压：VF＝1.2V（典型值）（IF＝IF(DC)）
- 低反向电流：TRS6E65H IR＝1.1μA（典型值）（VR＝650V）
- 低总电容电荷：TRS6E65H QC＝17nC（典型值）（VR＝400V，f＝1MHz）
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25℃）
| 器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特性 | 库存查询与购买 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 重复峰值反向电压 VRRM （V） |
正向DC电流 IF(DC)（A） |
非重复峰值正向浪涌 IFSM（A） | 正向电压（脉冲测试）VF（V） | 反向电流（脉冲测试）IR（μA） | 总电容Ct（pF） | 总电容电荷QC（nC） | |||||
| 温度条件Tc（°C） | f＝50Hz（半正弦波， t＝10ms)，Tc＝25°C | 方波，t＝10μs，Tc＝25°C | IF＝IF(DC) | VR＝650V | VR＝400V，f＝1MHz | ||||||
| 典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | ||||||||
| TRS2E65H | TO-220-2L | 650 | 2 | 164 | 19 | 120 | 1.2 | 0.2 | 10 | 6.5 |  |
| TRS3E65H | 3 | 161 | 28 | 170 | 0.4 | 14 | 9 | |
|||
| TRS4E65H | 4 | 158 | 36 | 230 | 0.6 | 17 | 12 | |
|||
| TRS6E65H | 6 | 153 | 41 | 310 | 1.1 | 24 | 17 | |
|||
| TRS8E65H | 8 | 149 | 56 | 410 | 1.5 | 31 | 22 | |
|||
| TRS10E65H | 10 | 148 | 62 | 510 | 2.0 | 38 | 27 | |
|||
| TRS12E65H | 12 | 148 | 74 | 640 | 2.4 | 46 | 33 | |
|||
| TRS4V65H | DFN8×8 | 4 | 155 | 28 | 230 | 0.6 | 17 | 12 | |
||
| TRS6V65H | 6 | 151 | 41 | 310 | 1.1 | 24 | 17 | |
|||
| TRS8V65H | 8 | 148 | 45 | 410 | 1.5 | 31 | 22 | |
|||
| TRS10V65H | 10 | 145 | 54 | 510 | 2.0 | 38 | 27 | |
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| TRS12V65H | 12 | 142 | 60 | 640 | 2.4 | 46 | 33 | |
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TRS2E65H
TRS3E65H
TRS4E65H
TRS6E65H
TRS8E65H
TRS10E65H
TRS12E65H
TRS4V65H
TRS6V65H
TRS8V65H
TRS10V65H
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