IGBT的性能改进：垂直设计的发展
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如图3-15（a）所示，IGBT的垂直设计一直在发展。
从PT结构开始，随着薄晶片的使用，薄型PT（通常称为“场截止”）结构正在成为主流。（栅极结构与MOSFET相同。）
PT型的VCE(sat)特性是具有高温和室温条件下交叉的电流值（称为“Q点”）。
由于高温VCE(sat)在NPT型（如MOSFET）中始终很高，因此即使在并联操作时也更容易平衡集电极电流。
注：VCE(sat)特性-集电极电流正向流动时的压降。
第Ⅲ章：晶体管
晶体管的类型
双极晶体管（BJT）
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
结型场效应晶体管（JFET）
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
MOSFET的性能：雪崩能力
MOSFET的性能：电容的特性
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表：最大额定值
MOSFET的数据表：电气特性
MOSFET的数据表：电容和开关特性
MOSFET的数据表：体二极管
相关信息
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