MOSFET与IGBT分别适合哪些应用？

由于IGBT是采用电导率调制的双极开关器件，因此与单极MOSFET相比，其开关速度更低，尤其是其在高温下的关断时间更长。因此，IGBT导致了更高的开关损耗。

但另一方面，IGBT的优点是，即使在大电流和高温下，其也能轻松地实现高耐压，并具有相对较低的导通电压。

因此，使用硅材料制造的IGBT和MOSFET分别适合以下应用领域：

1. MOSFET：低压应用（200V至300V）
2. IGBT：高压应用（1200V以上）
3. IGBT和MOSFET用于400V至1200V应用范围内的不同用途：
   （1）IGBT用于开关频率小于20kHz，需具备高过载耐受能力的逆变器应用。
   （2）MOSFET用于开关频率超过20kHz的逆变器应用。
   （3）MOSFET用于某些低容量逆变器应用，而IGBT用于软开关和大电流密度应用。应根据其特性正确使用IGBT和MOSFET。