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有助于节电并提高电源PFC效率的650V／12A的SiC SBD：TRS12A65F、TRS12E65F

2020年5月产品新闻

The package photograph of SiC SBDs of 650 V/12 A contributing to power saving and high efficiency of power supply PFCs : TRS12A65F, TRS12E65F.

东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）推出“TRS12A65F”和“TRS12E65F”两款650V/12A碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD），这种新兴材料有助于节约电能和提高电源PFC效率。共有两种封装类型，其中TRS12A65F使用绝缘型封装TO-220F-2L，TRS12E65F采用非绝缘型封装TO-220-2L。为了解决设备功耗增加的问题，我们最新推出拥有12A正向电流的产品。

这两款新产品使用第二代优化JBS（结型势垒控制肖特基）架构，其品质因数（VF・Qcj[1]）较使用第一代相比降至67%左右[2]，因具备最大值为97A[3]的更高的非重复性峰值正向浪涌电流和典型值为1.45V的更低的正向电压。因此，新产品相对不易损坏，且功率损耗较低。介于高电压和低功率损耗的特点，新款碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）与拥有相同封装尺寸的现有Si FRD[4]产品相比，能够适应更高的电压和电流环境。由于新产品功率损耗降低，因此对产品的散热需求也相应减少，从而提升了散热装置的效率和裕度。

东芝未来还会扩展该系列产品，帮助通信设备、服务器、逆变器和其他产品提升效率并实现小型化。

注：
[1] Qcj：结电容反向电压在0.1V和400V之间的总电荷，根据Cj-VR曲线计算得出（自2019年11月起）
[2] 与TRS12E65C比较
[3] 以TRS12E65F为例
[4] FRD（快速恢复二极管）

特点

  • 较高的非重复性峰值正向浪涌电流：
      IFSM＝92A（TRS12A65F）
      IFSM＝97A（TRS12E65F）
  • 较低的反向电流：IR＝0.6μA（典型值）
  • 两种封装类型：
     绝缘型封装TO-220F-2L（TRS12A65F）
     非绝缘型封装TO-220-2L（TRS12E65F）

应用

  • 工业设备的电源
    （基站、PC服务器，电车供电设施和激光加工机床等）
  • 消费设备的电源
    （有机EL电视、音频放大器、投影仪和多功能打印机等）

产品规格

（@Ta＝25°C，除非另有规定）

器件型号 TRS12A65F TRS12E65F
封装 TO-220F-2L
（绝缘型）		 TO-220-2L
（非绝缘型）
绝对
最大
额定值		 反向重复峰值电压VRRM（V） 650
正向直流电流IF（DC）（A） 12
非重复性峰值正向浪涌电流IFSM（A） @t＝10ms 92 97
结温Tj（°C） 175
反向电流IR典型值（μA） @VR＝650V 0.6
正向电压VF典型值（V） @IF＝12A 1.45
总电容电荷Qcj典型值（nC） @VR＝0.1至400V 30[1]
热阻抗（结到管壳）Rth(j-C)最大值（°C／W） 3.65 1.3

内部电路

The illustration of internal circuit of SiC SBDs of 650 V/12 A contributing to power saving and high efficiency of power supply PFCs : TRS12A65F, TRS12E65F.

应用电路实例

The illustration of application circuit example of SiC SBDs of 650 V/12 A contributing to power saving and high efficiency of power supply PFCs : TRS12A65F, TRS12E65F.

本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。

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