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公司信息
2020年5月产品新闻
东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)推出“TRS12A65F”和“TRS12E65F”两款650V/12A碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD),这种新兴材料有助于节约电能和提高电源PFC效率。共有两种封装类型,其中TRS12A65F使用绝缘型封装TO-220F-2L,TRS12E65F采用非绝缘型封装TO-220-2L。为了解决设备功耗增加的问题,我们最新推出拥有12A正向电流的产品。
这两款新产品使用第二代优化JBS(结型势垒控制肖特基)架构,其品质因数(VF・Qcj[1])较使用第一代相比降至67%左右[2],因具备最大值为97A[3]的更高的非重复性峰值正向浪涌电流和典型值为1.45V的更低的正向电压。因此,新产品相对不易损坏,且功率损耗较低。介于高电压和低功率损耗的特点,新款碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)与拥有相同封装尺寸的现有Si FRD[4]产品相比,能够适应更高的电压和电流环境。由于新产品功率损耗降低,因此对产品的散热需求也相应减少,从而提升了散热装置的效率和裕度。
东芝未来还会扩展该系列产品,帮助通信设备、服务器、逆变器和其他产品提升效率并实现小型化。
注:
[1] Qcj:结电容反向电压在0.1V和400V之间的总电荷,根据Cj-VR曲线计算得出(自2019年11月起)
[2] 与TRS12E65C比较
[3] 以TRS12E65F为例
[4] FRD(快速恢复二极管)
(@Ta=25°C,除非另有规定)
本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。
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