采用超小型SOD-962封装的过压保护齐纳二极管,有助于设备上的高密度安装

产品新闻2022年7月

采用超小型SOD-962封装的过压保护齐纳二极管,有助于设备上的高密度安装

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出“CSLZ系列”齐纳二极管,可保护半导体器件,避免受开关浪涌/感应雷电浪涌[1],以及静电放电(ESD)[2] 的影响。本产品线有10款产品,齐纳电压覆盖范围5.6V至30V(典型值)。

新品齐纳二极管可防止半导体器件受纳秒级ESD[2] ,微秒级到毫秒级开关浪涌,以及接近直流的过压脉冲的影响。东芝齐纳二极管首次采用超小型SOD-962[3]封装,安装面积为0.1984mm2(典型值),与东芝目前采用SOD-523[5] 封装的产品[4]相比,占位面积减小约85%,允许在设备上进行高密度安装。产品有助于有效利用电路板,提高设备可靠性。

注:
[1]@IEC61000-4-5,tp=8/20μs
[2]@IEC61000-4-2
[3]东芝封装名称:SL2
[4]CEZ系列
[5]东芝封装名称: ESC

应用

  • 电子设备(物联网设备,移动设备等)

特性

  • 适合高密度安装的SOD-962[3]封装:0.62mm×0.32mm×0.3mm(典型值)
  • 防止微秒级到毫秒级脉冲宽度浪涌电压的影响
  • 宽齐纳电压单位系列:VZ(典型值)=5.6V至30V

 

主要规格

(@Ta=25°C)

器件型号

封装

绝对最大额定值

齐纳电压

VZ(V)

钳位电压

VC[6][7]

典型值

(V)

动态电阻

RDYN[6]

典型值

(Ω)

名称

尺寸

典型值

(mm)

静电放电电压

VESD[2]

(kV)

峰值脉冲电流

IPP[1]

(A)

典型值

测试电流

IZ

(mA)

接触放电

空气放电

CSLZ5V6

SOD-962[3]

0.62×0.32×0.3

±30

2.5

5.6

5

9

0.25

CSLZ6V2

6.2

10.5

0.38

CSLZ6V8

6.8

14.5

0.5

CSLZ8V2

8.2

17

0.62

CSLZ10V

10

18

0.5

CSLZ12V

±20

12

28

1.5

CSLZ16V

±12

16

30

1.7

CSLZ20V

20

30

2.5

CSLZ24V

±10

24

34

1.5

CSLZ30V

±8

30

2

51

4

注:
[6]TLP参数:Z0=50Ω,tp=100ns,tr=300ps,平均时间窗口:t1=30ns至t2=60ns,利用最小二乘法拟合ITLP1=8A和ITLP2=16A之间的TLP特性求出动态电阻。
[7]ITLP=8A

引脚分布

引脚分布

应用电路示例

应用电路示例

注:
本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。

*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,如有变更,恕不另行通知。

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