推出用于IGBT和MOSFET栅极驱动，支持高温工作，可以安装在板的背面或高度受限位置的轻薄型光耦：TLP5751H，TLP5752H，TLP5754H

产品新闻 2020年11月

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了TLP5751H，TLP5752H和TLP5754H，它们是使用SO6L封装的光耦产品，可以隔离中小容量的IGBT和MOSFET的驱动栅极。
新产品的工作温度（最大值）从现有产品^[1]的110°C提高到125°。其主要特性指定了其工作温度额定值为T_a＝-40至＋125°C，使其更容易设计和保持温度裕度。
该封装轻薄小巧，最大高度为2.3毫米，有助于提高系统板上部件布置的灵活性。此外，该封装可安装在东芝使用的SDIP6封装^[3]的以往产品^[2]焊盘上。因此，产品可以安装在板的背面或高度受限的地方，取代以往产品。

• 峰值输出电流额定值（@T_a＝-40至+125 °C）：
    I_OP＝±1.0A（TLP5751H）
    I_OP＝±2.5A（TLP5752H）
    I_OP＝±4.0A（TLP5754H）
  
• 高工作温度额定值：T_opr （最大值）＝125 °C
• 轨对轨输出

IGBT和MOSFET的隔离栅极驱动电路

• 工业设备（工业逆变器和光伏逆变器功率调节器等）
• 家电设备（空调变频器等）

本文所示应用电路仅供参考。需要进行彻底的评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不表示授予任何工业产权许可。