新一代600V平面功率MOSFET π-MOSIX系列产品：TK750A60F，TK1K2A60F，TK1K9A60F，TK650A60F
产品新闻2018年1月
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包括“TK750A60F”在内的四款产品均为新一代600V平面功率MOSFET π-MOSIX系列产品。
通过优化芯片设计，π-MOSIX系列提供了比当前π-MOSVII系列低5dB的峰值EMI噪声，同时保持了相同的效率水平。它提供了更大的设计灵活性，因此有助于减少设计工作量。此外，π-MOSIX系列具有相同的额定雪崩电流和额定漏极电流（DC），因此很容易取代现有的MOSFET。
东芝电子元件及存储装置株式会社将扩大π-MOSIX系列的产品组合，增加600V以上的器件，以及500V和650V器件。
注：
[1] 传统产品TK10A60D与新产品TK750A60F的比较（200MHz区域65W笔记本电脑适配器）
特点
- 采用π-MOSIX的新一代平面功率MOSFET
- 结合了高效率和低噪声。
- 额定雪崩电流等于额定漏极电流（直流）
应用
- 小到中等开关电源（笔记本电脑的交流适配器、游戏机充电器等）
- 照明电源
产品规格
（@Ta＝25°C）
| 器件型号 | 封装 | 最大绝对额定值 | 漏极-源极导通电阻 RDS（ON） 最大值 @VGS＝10V （Ω） |
总栅极电荷 Qg 典型值 （nC） |
输入电容 Ciss 典型值 （pF） |
当前一代 （π-MOSVII系列） 器件型号 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏极-源极电压 VDSS （V） |
漏极电流 （DC） ID （A） |
||||||
| TK750A60F | TO-220SIS | 600 | 10 | 0.75 | 30 | 1130 | TK10A60D |
| TK1K2A60F | 6 | 1.2 | 21 | 740 | TK6A60D （RDS（ON）＝1.25Ω） |
||
| TK1K9A60F | 3.7 | 1.9 | 14 | 490 | TK4A60DB （RDS（ON）＝2.0Ω） |
||
| TK650A60F | 11 | 0.65 | 34 | 1320 | TK11A60D | ||
内部电路
应用电路示例
本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。东芝电子元件及存储装置株式会社提供这些应用电路实例并不表示提供了任何的工业产权许可。
新产品TK750A60F和传统产品TK10A60D[2]的比较
注：
[2] 东芝电子元件及存储装置株式会社测量值
本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。
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