3-1正常工作状态（无ESD事件）的主要特性（1）
3-1（1）ESD保护二极管反向击穿电压（VBR）是否充分高于被保护信号线的振幅（最大电压）
ESD保护二极管两端电压接近反向击穿电压（VBR）时，漏电流增加。电压接近VBR时，漏电流可能使保护信号线的波形失真。反向电流（IR）随反向电压（VR）成指数增长。选择VRWM高于被保护信号线振幅的ESD保护二极管非常重要。
第Ⅲ章：TVS二极管（ESD保护二极管）的主要电气特性
3、TVS二极管（ESD保护二极管）的主要电气特性
3-1正常工作状态（无ESD事件）主要特性（2）
3-1正常工作状态（无ESD事件）的主要特性（3）
3-2 ESD事件保护的主要特性（1）
3-2 ESD事件保护的主要特性（2）
3-2 ESD事件保护的主要特性（3）
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