3-1正常工作状态(无ESD事件)的主要特性(1)

3-1(1)ESD保护二极管反向击穿电压(VBR)是否充分高于被保护信号线的振幅(最大电压)

ESD保护二极管两端电压接近反向击穿电压(VBR)时,漏电流增加。电压接近VBR时,漏电流可能使保护信号线的波形失真。反向电流(IR)随反向电压(VR)成指数增长。选择VRWM高于被保护信号线振幅的ESD保护二极管非常重要。

图3.1反向击穿电压与信号线电压
图3.1反向击穿电压与信号线电压
图3.2 ESD保护二极管漏电流
图3.2 ESD保护二极管漏电流

第Ⅲ章:TVS二极管(ESD保护二极管)的主要电气特性

3、TVS二极管(ESD保护二极管)的主要电气特性
3-1正常工作状态(无ESD事件)主要特性(2)
3-1正常工作状态(无ESD事件)的主要特性(3)
3-2 ESD事件保护的主要特性(1)
3-2 ESD事件保护的主要特性(2)
3-2 ESD事件保护的主要特性(3)

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