双极晶体管（BJT）
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双极晶体管有两种类型：NPN型和PNP型。NPN型产品涵盖低耐受电压到高耐受电压产品。耐受电压为400V或以下的PNP型产品，特别是耐受电压为200V或以下的PNP型产品是主流产品。
它们有放大功能，可以将小信号转换成大信号。集电极电流IC与基极电流IB（IC／IB）之比称为直流电流增益，用hFE表示。
当小电流（IB）从基极流向发射极时，IB×hFE的电流IC从集电极流向发射极。
BJT是由基极电流驱动的电流驱动器件。
NPN晶体管的操作
基极电流：从基极到发射极的电流
集电极电流：从集电极到发射极的电流
PNP晶体管的操作
基极电流：从发射极到基极的电流
集电极电流：从发射极到集电极的电流
第Ⅲ章：晶体管
晶体管的类型
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
结型场效应晶体管（JFET）
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
MOSFET的性能：雪崩能力
MOSFET的性能：电容的特性
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
IGBT的性能改进：垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表：最大额定值
MOSFET的数据表：电气特性
MOSFET的数据表：电容和开关特性
MOSFET的数据表：体二极管
相关信息
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