双极晶体管(BJT)

双极晶体管有两种类型:NPN型和PNP型。NPN型产品涵盖低耐受电压到高耐受电压产品。耐受电压为400V或以下的PNP型产品,特别是耐受电压为200V或以下的PNP型产品是主流产品。
它们有放大功能,可以将小信号转换成大信号。集电极电流IC与基极电流IB(IC/IB)之比称为直流电流增益,用hFE表示。
当小电流(IB)从基极流向发射极时,IB×hFE的电流IC从集电极流向发射极。

NPN晶体管的符号与结构
图3-1(a)NPN晶体管的符号与结构
PNP晶体管的符号与结构
图3-1(b)PNP晶体管的符号与结构

BJT是由基极电流驱动的电流驱动器件。

NPN晶体管的操作
 基极电流:从基极到发射极的电流
 集电极电流:从集电极到发射极的电流

PNP晶体管的操作
 基极电流:从发射极到基极的电流
 集电极电流:从发射极到集电极的电流

第Ⅲ章:晶体管

晶体管的类型
内置偏置电阻型晶体管(BRT)
结型场效应晶体管(JFET)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进:低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能:漏极电流和功耗
MOSFET的性能:雪崩能力
MOSFET的性能:电容的特性
MOSFET的性能:安全工作区域(或安全操作区域)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理
IGBT的性能改进:垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表:最大额定值
MOSFET的数据表:电气特性
MOSFET的数据表:电容和开关特性
MOSFET的数据表:体二极管

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