SBD是否具有反向恢复特性(trr)?

与pn结二极管不同,肖特基势垒二极管仅通过多数载流子工作,因此原则上不存在反向恢复时间。然而,由于寄生电容等原因,略有反向恢复时间。

当正向偏置时,pn结二极管导通,因为电子、少数载流子流入p型半导体,而空穴流入n型半导体。由于电子和空穴都有助于器件工作,因此pn结二极管称为双极器件。另一方面,如果SBD由n型半导体和金属构成,当SBD正向偏置时,多数载流子会流入金属,使其导通。由于只有多数载流子对器件工作有用,因此SBD称为单极器件。
p-n结二极管等双极型二极管具有低浓度N-层,可以增大器件的击穿电压。该层在导通时可发挥电阻作用,其缺点是会增大正向电压。但实际工作期间在导通时,大量空穴会从阳极侧的P+层流入N-层。同时,从阴极侧提供大量电子以维持电中性。因此,N-层中暂时存在大量载流子,导致电阻值较低。这种现象称为电导率调制。
这对于降低器件的导通电压(正向电压)而言既有益处,也有缺点,其不能立即关断(关断需要时间)。因为由于电导率调制而进入N-层的大量少数载流子(空穴)无处可去,这些多余的少数载流子通过复合消失需要时间。这段时间称为反向恢复时间,有反向电流流动。相反,在SDB情况下,n型(或p型)半导体的少数载流子对器件工作没有用。因此,SBD没有反向恢复时间。然而,由于SBD由金属与半导体之间的异质结组成,因此会发生相当大的表面泄漏。在某些SBD中,有时会使用pn结来减少这种泄漏。此外,它具有寄生电容,因此它可能具有反向恢复时间,尽管与pn结二极管相比非常短。
关于电导率调制,请参阅下面的e-learning。
e-learning:肖特基势垒二极管基础知识 2-3.电导率调制

图1:正向偏置时的二极管状态
图1:正向偏置时的二极管状态
图2:SiC SBD与硅pn结二极管的关断波形
图2:SiC SBD与硅pn结二极管的关断波形

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