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以低导通电阻降低功耗的车载小型MOSFET产品线拓展

产品新闻2021年9月

封装照片:SSM6K818R。

东芝电子元件及存储装置株式会社 ("东芝") 推出 适用于头灯控制开关等车载设备的N沟道30V MOSFET “SSM6K818R”,扩充其产品线。

新产品采用我们的新工艺,具有行业领先 [1]的低导通电阻。通过扁平引脚封装提升了器件安装能力,降低了热阻。该产品采用小型TSOP6F封装,额定功耗为1.5 W,有助于降低设备功耗。此外,与具有类似功耗额定值的SOP-8封装相比,TSOP6F封装安装面积减少约70%,有助于缩小设备尺寸。同时,器件还符合AEC-Q101标准,适合用于各种用途,包括车载应用,如前大灯控制开关、灯光控制开关,以及USB电源负载开关。

另一款40V产品SSM6K804R[2]即将量产。

注:
[1] 根据东芝的调查,与TSOP6F级封装和相同最大额定值的产品比较 (截至2021年7月)
[2] 计划2021年10月开始量产 (截至2021年9月)

 

应用

  • 汽车设备 (前大灯、转向灯、日间行车灯、USB充电器等)

特性

  • 以行业领先的[1]低导通电阻降低功耗:
    RDS(ON)=12mΩ(最大值)@VGS=4.5V(SSM6K818R)
  • 采用TSOP6F封装降低热阻,额定功耗达到1.5W
  • 符合AEC-Q101标准

主要规格

(@Ta=25 °C)

器件型号

极性

封装

绝对最大额定值

电气特性

名称

尺寸典型值

(mm)


漏极-源极电压

VDSS

(V)


栅极-源极电压

VGSS

(V)

漏极电流

(DC)

ID

(A)

功耗

PD

(W)


漏极-源极导通电阻

RDS(ON)最大值

(mΩ)

输入电容

Ciss典型值

(pF)


总栅极电荷

Qg典型值

(nC)

@VGS=4.5V
SSM6K818R

N沟道

TSOP6F

2.9×2.8×0.8

30

±20

15

1.5

12

1130

7.5

SSM6K804R[2]

40

±20

12

1.5

18

1110

7.5

SSM6K809R[3]

60

±20

6

1.5

51

550

9.3

SSM6K810R[3]

100

±20

3.5

1.5

92

430

3.2

SSM6K819R[3]

100

±20

10

1.5

36.4

1110

8.5

注:

[3] 现有产品

内部电路

内部电路图:SSM6K818R、SSM6K804R

应用电路示例

应用电路示例图:SSM6K818R、SSM6K804R

注:

本文所示应用电路仅供参考。

需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。

提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。

 

* 本文档中的信息,包括产品价格和规格、服务内容和联系信息,均为发布之日的最新信息,如有变更,恕不另行通知。

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