以低导通电阻降低功耗的车载小型MOSFET产品线拓展
产品新闻2021年9月
东芝电子元件及存储装置株式会社 ("东芝") 推出 适用于头灯控制开关等车载设备的N沟道30V MOSFET “SSM6K818R”，扩充其产品线。
新产品采用我们的新工艺，具有行业领先 [1]的低导通电阻。通过扁平引脚封装提升了器件安装能力，降低了热阻。该产品采用小型TSOP6F封装，额定功耗为1.5 W，有助于降低设备功耗。此外，与具有类似功耗额定值的SOP-8封装相比，TSOP6F封装安装面积减少约70%，有助于缩小设备尺寸。同时，器件还符合AEC-Q101标准，适合用于各种用途，包括车载应用，如前大灯控制开关、灯光控制开关，以及USB电源负载开关。
另一款40V产品SSM6K804R[2]即将量产。
注：
[1] 根据东芝的调查，与TSOP6F级封装和相同最大额定值的产品比较 (截至2021年7月)
[2] 计划2021年10月开始量产 (截至2021年9月)
应用
- 汽车设备 (前大灯、转向灯、日间行车灯、USB充电器等)
特性
- 以行业领先的[1]低导通电阻降低功耗：
RDS(ON)＝12mΩ（最大值）@VGS＝4.5V（SSM6K818R） - 采用TSOP6F封装降低热阻，额定功耗达到1.5W
- 符合AEC-Q101标准
主要规格
(@Ta=25 °C)
| 器件型号 | 极性 |
封装 |
绝对最大额定值 |
电气特性 |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
名称 |
尺寸典型值 （mm） |
漏极-源极电压 VDSS （V） |
栅极-源极电压 VGSS （V） |
漏极电流 （DC） ID （A） |
功耗 PD （W） |
漏极-源极导通电阻 RDS(ON)最大值 （mΩ） |
输入电容 Ciss典型值 （pF） |
总栅极电荷 Qg典型值 （nC） |
||
| @VGS＝4.5V | ||||||||||
| SSM6K818R | N沟道 |
TSOP6F |
2.9×2.8×0.8 | 30 |
±20 |
15 |
1.5 |
12 |
1130 |
7.5 |
| SSM6K804R[2] | 40 |
±20 |
12 |
1.5 |
18 |
1110 |
7.5 |
|||
| SSM6K809R[3] | 60 |
±20 |
6 |
1.5 |
51 |
550 |
9.3 |
|||
| SSM6K810R[3] | 100 |
±20 |
3.5 |
1.5 |
92 |
430 |
3.2 |
|||
| SSM6K819R[3] | 100 |
±20 |
10 |
1.5 |
36.4 |
1110 |
8.5 |
|||
注：
[3] 现有产品
内部电路
应用电路示例
注：
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
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