IGBT和MOSFET的正向特性比较

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本文比较了MOSFET（D-MOS）和IGBT在500～600V电压下的正向特性，在低电流区，MOSFET压降小，这具有一定的优势。另一方面，IGBT在大电流区的正向电压特性优于MOSFET，如图3-17所示。由于MOSFET的正向特性对温度具有很强的正向依赖性，IGBT和MOSFET的性能差异随着温度的升高而增大。

MOSFET和IGBT的正向特性比较
图3-17 MOSFET和IGBT的正向特性比较

该图比较了中高压产品。
在工作电流区域，低压MOSFET（如沟道MOSFET）的导通电阻远低于IGBT。

鉴于这些特性和开关性能：

  • MOSFET应用于低电流密度和大约100kHz的开关电源工作。
  • IGBT应用于高电流密度和20kHz以下的交流驱动工作。

第Ⅲ章：晶体管

晶体管的类型
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双极晶体管（BJT）
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内置偏置电阻型晶体管（BRT）
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结型场效应晶体管（JFET）
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金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
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MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
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按结构分类的MOSFET特性摘要
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MOSFET的性能：电容的特性
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绝缘栅双极晶体管（IGBT）
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