IGBT和MOSFET的正向特性比较
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本文比较了MOSFET（D-MOS）和IGBT在500～600V电压下的正向特性，在低电流区，MOSFET压降小，这具有一定的优势。另一方面，IGBT在大电流区的正向电压特性优于MOSFET，如图3-17所示。由于MOSFET的正向特性对温度具有很强的正向依赖性，IGBT和MOSFET的性能差异随着温度的升高而增大。
该图比较了中高压产品。
在工作电流区域，低压MOSFET（如沟道MOSFET）的导通电阻远低于IGBT。
鉴于这些特性和开关性能：
- MOSFET应用于低电流密度和大约100kHz的开关电源工作。
- IGBT应用于高电流密度和20kHz以下的交流驱动工作。
第Ⅲ章：晶体管
晶体管的类型
双极晶体管（BJT）
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
结型场效应晶体管（JFET）
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
MOSFET的性能：雪崩能力
MOSFET的性能：电容的特性
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
IGBT的性能改进：垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表：最大额定值
MOSFET的数据表：电气特性
MOSFET的数据表：电容和开关特性
MOSFET的数据表：体二极管
相关信息
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