3-2 ESD事件保护的主要特性 (2)

图3.11 ESD保护二极管浪涌吸收工作原理
图3.11 ESD保护二极管浪涌吸收工作原理

3-2（2）低钳位电压（VC）和第一峰值电压

图3.10显示采用IEC 61000-4-2规定ESD波形时，高低钳位电压（VC）ESD保护二极管的波形效果。这些波形采集于受保护器件（DUP）输入端。具有低VC 的ESD保护二极管在30ns和60ns处钳位电压低于具有高VC的ESD保护二极管。ESD波形曲线下的面积越小，受保护器件（DUP）受到的损坏越小。因此，具有低VC的ESD保护二极管可提供更好的ESD脉冲保护。此外，一些ESD保护二极管在ESD进入后不会立即响应。因此，如果ESD脉冲第一峰值电压高于ESD保护二极管的VC，则可能施加到受保护器件，造成故障或破坏。ESD保护二极管响应速度高于其他类型保护器件。此外，东芝正在优化芯片工艺和内部器件结构，进一步降低第一个峰值电压，从而在初始阶段对ESD峰值电压提供更可靠的保护。

第Ⅲ章：TVS二极管（ESD保护二极管）的主要电气特性

3、TVS二极管（ESD保护二极管）的主要电气特性
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3-1正常工作状态（无ESD事件）的主要特性（1）
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3-1正常工作状态（无ESD事件）主要特性（2）
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3-1正常工作状态（无ESD事件）的主要特性（3）
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3-2 ESD事件保护的主要特性（1）
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3-2 ESD事件保护的主要特性（3）
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