扩大有助于提高电源效率的100V N沟道功率MOSFET U-MOSIX-H系列产品线：TK2R9E10PL等
产品新闻2018年3月
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包括“TK2R9E10PL”在内的12个产品是100V N沟道功率MOSFET U-MOSIX-H系列的新产品，适用于电源应用。
这一产品线新增的产品是5个TO-220封装产品，5个TO-220SIS封装产品，以及2个DPAK封装产品。通过采用具有低电压沟槽结构的最新一代工艺U-MOSIX-H，它们实现了业内最低水平的[1]导通电阻，改善了导通电阻和输出电荷之间的平衡[2]。此外，它们还继承了现行工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性，降低了导通电阻和栅极开关电荷的乘积[3]，该乘积是开关应用中的一个性能要求指标。
注：
[1] 截止于2018年1月东芝电子元件及存储装置株式会社的调查。
[2] 相比于TK100E10N1（U-MOSVIII-H），TK2R9E10PL改进了导通电阻（典型值）和输出电荷（典型值）的乘积约18%。
[3] 相比于TK100E10N1（U-MOSVIII-H），TK2R9E10PL改进了导通电阻（典型值）和栅极开关电荷（典型值）的乘积约25%。
特点
- 业内最低水平的导通电阻[1]
RDS（ON）=2.9mΩ（最大值）@VGS=10V（TK2R9E10PL） - 低输出电荷和低栅极开关电荷
- 允许4.5V逻辑电平驱动
应用
- 各种电源
（高效DC-DC转换器、高效AC-DC转换器、开关电源等） - 电机控制设备（电机驱动等）
产品规格
（除非另有规定，@Ta=25°C）
| 器件型号 | 最大绝对额定值 | 漏极-源极 导通电阻 RDS（ON）最大值 （mΩ） |
总栅极电荷 Qg 典型值 （nC） |
栅极开关电荷 QSW 典型值 （nC） |
输出电荷 Qoss 典型值 （nC） |
输入电容 Ciss 典型值 （pF） |
封装 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏极- 源极 电压 VDSS （V） |
漏极电流 （DC） ID @TC=25°C （A） |
@VGS =10V |
@VGS =4.5V |
||||||
| TK2R9E10PL | 100 | 100 | 2.9 | 4.1 | 161 | 48 | 164 | 9500 | TO-220 |
| TK3R9E10PL | 100 | 3.9 | 5.8 | 96 | 26 | 99 | 6320 | ||
| TK6R4E10PL | 70 | 6.4 | 9.7 | 58 | 17 | 58 | 3455 | ||
| TK7R2E10PL | 60 | 7.2 | 11 | 44 | 13 | 47 | 2800 | ||
| TK110E10PL | 42 | 10.7 | 16 | 33 | 9.3 | 32 | 2040 | ||
| TK3R2A10PL | 100 | 3.2 | 4.3 | 161 | 48 | 164 | 9500 | TO-220SIS | |
| TK4R1A10PL | 80 | 4.1 | 5.9 | 104 | 29 | 99 | 6320 | ||
| TK6R7A10PL | 56 | 6.7 | 10.1 | 58 | 17 | 58 | 3455 | ||
| TK7R4A10PL | 50 | 7.4 | 11.2 | 44 | 13 | 47 | 2800 | ||
| TK110A10PL | 36 | 10.8 | 16 | 33 | 9.3 | 32 | 2040 | ||
| TK7R7P10PL | 55 | 7.7 | 11.5 | 44 | 13 | 47 | 2800 | DPAK | |
| TK110P10PL | 40 | 10.6 | 16 | 33 | 9.3 | 32 | 2040 | ||
内部电路
应用电路示例
本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。东芝电子元件及存储装置株式会社提供这些应用电路实例并不表示提供了任何的工业产权许可。
本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。
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