东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)现已在东芝半导体泰国工厂开始量产采用DFN4D封装的TCR3LM系列低电流LDO稳压器。
市场上对于物联网通信模块、可穿戴设备及移动设备的需求日益增加。随着对电池的要求越来越高,电池体积也越来越小,但却需要更长的电池寿命。为实现设备的长期运行,设备本身必须保持低能耗。因此当设备处于待机状态时,保持较低的耗电量就显得尤为重要。除数据传输等操作外,电池均处于待机状态,但这种待机状态会占据一天中的大部分时间。
换言之,通过保持待机状态下的低电流消耗,就能使设备本身保持低功耗,因此,即使电池容量较小,也能实现长时间运行。
新款TCR3LM系列低功耗LDO稳压器有助于降低设备功耗。相较于我们的另一款TCR2LN系列低电流型LDO,该产品的压差性能有所提高[注1]。TCR3LM系列的负载瞬态响应性也得到了改善,当负载波动时输出更加稳定。此外,我们可提供丰富的输出电压产品线。包括我们现有的TCR2LN系列产品,我们目前可以提供输出电流最大值为300 mA,您可从中选择最合适的器件,以支持广泛的应用。
TCR3LM系列采用表贴式紧凑薄型DFN4D封装。此外,小型陶瓷电容器可用于输入和输出电容,因此适用于移动设备、可穿戴设备以及具有高密度安装要求的其他小型设备的电源线。
[注1]输出电流200 mA
偏置电流是在无输出电流时流过LDO稳压器输入端的电流,LDO稳压器本身的运行需要该电流。LDO稳压器用作各种功能块的电源,例如各种传感和数据通信。这些功能并非经常性处于运行状态,其中一些功能可能不处于待机模式。在待机模式下,几乎不会向LDO稳压器输出端供应电流。因此,通过尽可能缩短这些功能的运行时间,可采取措施将整个设备的平均耗电量(功耗)保持在较低水平。在这种情况下,电池中仅流出偏置电流。此特性对于降低功耗非常重要。TCR3LM系列将偏置电流抑制到2.2 μA(最大值),有助于省电并延长整个设备的驱动时间。
相较于传统产品,TCR3LM系列在减小偏置电流的同时还改善了压差电压。减小偏置电流通常会降低稳压器的性能。通过重新检查电路配置,TCR3LM系列成功克服了这一问题。与传统产品相比,由于可在更低的输入电压下获得所需的输出电压,因此可借助电压差降低功耗。
相较于传统产品,TCR3LM系列在减小偏置电流的同时,还改善了负载瞬态响应特性。减小偏置电流通常会降低稳压器的性能。负载瞬态响应表示输出电流突增或突减时发生的输出电压波动幅度。虽然需权衡减小偏置电流与降低性能之间的关系,但通过重新检查电路配置,TCR3LM系列成功地改善了这两个方面。
(除非另有规定,Ta=25 °C)
器件型号 | TCR2LN系列[注2] | TCR3LM系列 | |||
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封装 | 名称 | SDFN4 | DFN4D | ||
尺寸( mm) | 典型值 | 0.8×0.8,厚度=0.38 | 1.0×1.0,厚度=0.37 | ||
工作范围 (Ta=-40 °C至85 °C) |
出入电压VIN(V) | 1.5至5.5 | 1.4至5.5 | ||
输出电压VOUT(V) | 0.8至.6 | 0.8至5.0 | |||
输出电流IOUT(mA) | 200 | 300 | |||
电气特性 (除非另有规定,Tj=-40 °C至85 °C) |
偏置电流IB(ON)(μA) | 最大值 | 2.0 (IOUT=0 mA,VIN=2.5 V[注3]) |
2.2 (IOUT=0 mA,VIN=5.5 V[注3]) |
|
压差电压VDO(mV) | 最大值 | 600 (IOUT=150 mA, VOUT=1.8 V) |
445 (IOUT=200 mA, VOUT=1.8 V) |
||
负载瞬态响应⊿ VOUT(mV) |
Tj=25 °C | 典型值 | -400/+400 (1⇔10 mA) |
-70/+35 (1⇔100 mA) |
|
控制端子 阀值电压VCTH(V) |
控制端子输入电压“高电平” | 最小值 | - | 0.9 | |
控制端子 阀值电压VCTL(V) |
控制端子输入电压“低电平” | 最大值 | - | 0.4 | |
控制电压(导通)VCT (ON) | 最小值 | 1.0 | - | ||
控制电压(关断)VCT (OFF) | 最大值 | 0.4 | - | ||
过流保护功能 | 是 | ||||
过温保护功能 | 是 | ||||
自动放电功能 | 是 | ||||
库存查询与购买 |
[注2]现有产品
[注3]不含控制反偏电流(ICT)。
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