什么是SiC肖特基势垒二极管（SBD）热失控*？

由于SiC SBD的漏电流约为Si SBD的1/10，因此不太可能发生热失控。

对于传统Si SBD，有些产品即使在80%的额定电压下也有较大的漏电流，从热失控的角度来看这些产品很难使用Si SBD。

由于芯片材料（SiC）以及芯片设计优化（JBS结构：结势垒肖特基结构），我们的SiC SBD的漏电流约为Si SBD的1/10。

漏电流在高温下增加。因此，如果热损耗（＝漏电流×外加电压）产生的热量超过包括封装在内的器件的散热性能，芯片内部温度会升高，最终导致热破坏。