什么是开尔文连接？

测量未知阻值的电阻R时，可使用电源输入电流I，然后测量电压求出电阻，如图1所示。此时，如果导线较长，测量精度会因导线电阻而下降。
这种情况下，如图2所示，将测量路径与电流路径分离，即使测量路径中存在导线电阻r'，电流也不会流入测量路径。因此，可以高精度测量电阻器两端的电压，从而实现高精度电阻R测量。

MOSFET是一种栅源压控器件。当漏极电流较大时，栅极和源极两端施加电压会出现图1所示相同现象。特别是，MOSFET导通／关断期间，漏极电流显著变化，由布线电感引起电压变化加大无法忽略。
以图3电路为例。栅极电压V_GS从外部施加在栅极和接地（GND）端子两端。
由于导通和关断期间流经这些电感的电流（dI_D/d_t）发生变化，源极电压V_LS 相对于GND的电压为V_LS＝（L_b＋L_W）×dI_D/d_t，这极大地影响了 开关特性。

如图4电路所示，当漏极电流I_D 传输路径和作为控制信号的栅源电压V_GS传输路径分离时，V_GS可以降低I_D的影响。

开尔文连接封装的MOSFET包括：

TO-247-4L，TOLL，DFN8x8

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